公开(公告)号：CN115072657A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210682690.8

申请日：2022-06-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 幸研 ,  陈晔

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种球型分层确定氮化镓湿法刻蚀全速率的方法，包括如下步骤：步骤10)获得氮化镓半球以及氮化镓轮幅结构；步骤20)利用AFM测量步骤10)的氮化镓半球，获得刻蚀前的氮化镓半球坐标，并利用SEM拍摄步骤10)的轮幅结构；步骤30)刻蚀步骤10)的氮化镓半球以及轮幅结构；步骤40)利用AFM测量刻蚀后的氮化镓半球，获得刻蚀后的氮化镓半球坐标，并利用SEM拍摄刻蚀后的轮幅结构；步骤50)对所述步骤20和步骤40获得的数据进行处理，获得氮化镓湿法刻蚀全速率。该方法通过借助灰度图利用聚焦离子束技术在氮化镓晶片上加工出凸半球冠及凸半球底以及轮幅结构。并且腐蚀前后借助原子力显微镜获得腐蚀前后半球冠和半球底坐标点，从而得到刻蚀速率。

公开(公告)号：CN115072657B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202210682690.8

申请日：2022-06-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 幸研 ,  陈晔

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种球型分层确定氮化镓湿法刻蚀全速率的方法，包括如下步骤：步骤10)获得氮化镓半球以及氮化镓轮幅结构；步骤20)利用AFM测量步骤10)的氮化镓半球，获得刻蚀前的氮化镓半球坐标，并利用SEM拍摄步骤10)的轮幅结构；步骤30)刻蚀步骤10)的氮化镓半球以及轮幅结构；步骤40)利用AFM测量刻蚀后的氮化镓半球，获得刻蚀后的氮化镓半球坐标，并利用SEM拍摄刻蚀后的轮幅结构；步骤50)对所述步骤20和步骤40获得的数据进行处理，获得氮化镓湿法刻蚀全速率。该方法通过借助灰度图利用聚焦离子束技术在氮化镓晶片上加工出凸半球冠及凸半球底以及轮幅结构。并且腐蚀前后借助原子力显微镜获得腐蚀前后半球冠和半球底坐标点，从而得到刻蚀速率。