公开(公告)号：CN119880236A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510093447.6

申请日：2025-01-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴俊 ,  陈品臻

IPC: G01L5/169

Abstract: 本发明公开了一种基于向心梯度磁场设计的柔性多维力传感器及其制备方法，属于电子器件领域。一种柔性多维力传感器，由上到下依次包括：保护层，包括具有力敏特性的柔性基底材料；磁膜层，底面设有十字形的凹槽，且所述凹槽的边缘呈弧形，能够形成具有梯度磁通量的磁场；缓冲层，包括具有阶梯形的应变材料；以及，传出层，包括具有三轴磁场传感能力的电磁效应芯片及其读出电路。与现有技术相比，本申请的传感器从磁场设计上实现自然解耦，并且在三轴上均具有解耦能力。本申请的梯度设计使得传感器在受到应力的时候，在不同应力阶段具有不同响应斜率，极大提高了器件的测力范围，并且三轴上的传感灵敏度与范围相同。

公开(公告)号：CN118591263A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410712720.4

申请日：2024-06-04

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴俊 ,  谢欣凯 ,  陈品臻

IPC: H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  H10N52/01

Abstract: 本发明公开了一种基于磁霍尔效应的柔性突触晶体管及其制备方法，晶体管自下向上包括四层；底层为第一层，包括源极、漏极、半导体沟道、下浮栅和两个永磁区；第二层为上浮栅，上浮栅覆盖在半导体沟道表面，且与源极邻近；第三层为绝缘层，绝缘层覆盖在上浮栅、半导体沟道以及两个永磁区的表面；第四层为栅极，栅极位于绝缘层表面，且位置与半导体沟道所在区域对应；两个永磁区在半导体沟道区形成的磁场与半导体沟道中电流方向垂直，晶体管导通后，在霍尔效应的作用下，上浮栅聚集电子，下浮栅聚集空穴，最终实现感存算功能一体化集成的晶体管。