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公开(公告)号：CN108832473B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810580781.4
申请日：2018-06-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种毛细管力驱动制备的微腔量子点激光器及制备方法，所述激光器包括上基板及其下表面的布拉格反射镜、热封膜和封口、下基板及其上表面的布拉格反射镜、量子点增益材料和激光泵浦源；所述热封膜将具有布拉格反射镜的上、下基板紧密的热封在一起，形成微腔用于容置量子点增益材料，热封膜两端封口处用紫外固化胶密封；所述量子点增益材料采用浓度为50‑120 mg/ml的高浓度量子点溶液。本发明的量子点激光器件波长可随着量子点尺寸变化进行调制，制备工艺简单，重复性和稳定性较高。激光器在短波激光泵浦下有很好的光增益，且相干性很好，出光波长可随量子点发光峰位置在全可见光谱范围调节，制备成本低并易于实现大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN108832473A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810580781.4
申请日：2018-06-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种毛细管力驱动制备的微腔量子点激光器及制备方法，所述激光器包括上基板及其下表面的布拉格反射镜、热封膜和封口、下基板及其上表面的布拉格反射镜、量子点增益材料和激光泵浦源；所述热封膜将具有布拉格反射镜的上、下基板紧密的热封在一起，形成微腔用于容置量子点增益材料，热封膜两端封口处用紫外固化胶密封；所述量子点增益材料采用浓度为50-120 mg/ml的高浓度量子点溶液。本发明的量子点激光器件波长可随着量子点尺寸变化进行调制，制备工艺简单，重复性和稳定性较高。激光器在短波激光泵浦下有很好的光增益，且相干性很好，出光波长可随量子点发光峰位置在全可见光谱范围调节，制备成本低并易于实现大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN110299437B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910565247.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法，所述全无机QLEDs器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃、经表面处理的NiO空穴传输层、CdZnSeS/ZnS量子点层、ZnMgO电子传输层和Al阴极。所述制备方法包括以下步骤：(a)分别采用去离子水、丙酮、异丙醇，清洗ITO导电玻璃；(b)将清洗后的ITO导电玻璃吹干，紫外处理；(c)取出处理后的ITO导电玻璃，旋涂经表面处理的NiO纳米颗粒溶液；(d)取量子点溶液旋涂到步骤(c)所得物上，退火；(e)取ZnMgO纳米颗粒溶液旋涂到步骤(d)所得物上，退火；(f)将步骤(e)所得物抽真空并蒸镀铝膜。本发明通过构建修饰空穴传输层，降低界面电荷猝灭几率，提高载流子浓度，平衡电子与空穴，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN110299437A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910565247.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法，所述全无机QLEDs器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃、经表面处理的NiO空穴传输层、CdZnSeS/ZnS量子点层、ZnMgO电子传输层和Al阴极。所述制备方法包括以下步骤：(a)分别采用去离子水、丙酮、异丙醇，清洗ITO导电玻璃；(b)将清洗后的ITO导电玻璃吹干，紫外处理；(c)取出处理后的ITO导电玻璃，旋涂经表面处理的NiO纳米颗粒溶液；(d)取量子点溶液旋涂到步骤(c)所得物上，退火；(e)取ZnMgO纳米颗粒溶液旋涂到步骤(d)所得物上，退火；(f)将步骤(e)所得物抽真空并蒸镀铝膜。本发明通过构建修饰空穴传输层，降低界面电荷猝灭几率，提高载流子浓度，平衡电子与空穴，提高器件性能。
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