公开(公告)号：CN111796625A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010733523.2

申请日：2020-07-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 邓禹辰 ,  吴建辉 ,  吴志强 ,  谢祖帅 ,  周全才 ,  瞿剑

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种具有超低功耗的CMOS电压基准电路，通过对传统单条支路串联MOS管产生的ΔVTH变换形式为两条支路产生，即通过电流镜复制电流，从而实现两种阈值管的阈值电压相减产生一个负温度系数电压，再与一个正温度系数电压相加实现对输出电压的一阶和二阶温度系数补偿，得到温度特性较好的基准电压。通过增加并联的输出MOS管也实现了trimming的过程，电路可以工作在不同的PVT条件下仍能输出稳定。同时设计电路中关键管的宽长比W/L小于1，极大的降低了静态电流，并且除电流镜MOS管外，所有的MOS管都工作在亚阈值区，进一步降低了功耗，采用单级差分运放可以有效节省芯片面积。

公开(公告)号：CN111796625B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202010733523.2

申请日：2020-07-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 邓禹辰 ,  吴建辉 ,  吴志强 ,  谢祖帅 ,  周全才 ,  瞿剑

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种具有超低功耗的CMOS电压基准电路，通过对传统单条支路串联MOS管产生的ΔVTH变换形式为两条支路产生，即通过电流镜复制电流，从而实现两种阈值管的阈值电压相减产生一个负温度系数电压，再与一个正温度系数电压相加实现对输出电压的一阶和二阶温度系数补偿，得到温度特性较好的基准电压。通过增加并联的输出MOS管也实现了trimming的过程，电路可以工作在不同的PVT条件下仍能输出稳定。同时设计电路中关键管的宽长比W/L小于1，极大的降低了静态电流，并且除电流镜MOS管外，所有的MOS管都工作在亚阈值区，进一步降低了功耗，采用单级差分运放可以有效节省芯片面积。