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公开(公告)号：CN114839841A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210524551.2
申请日：2022-05-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种厚胶光刻工艺的光强分布模拟方法，包括如下步骤：根据接触式/接近式实际光刻情况在FDTD中构建相应的模型，施加可控制入射角度、偏振方向、波长的平面波；采用递归卷积法处理色散介质；对模拟区域增加卷积完美匹配层CPML边界；循环计算，在每个时间步长内更新每个Yee氏格点的电场和磁场，直至达到稳态；根据网格中电磁场的分布，采用峰值检测法得到光刻胶内部的光强分布。本发明解决了目前缺乏高精度厚胶光刻工艺仿真模型的问题，具有高度灵活性，适合模拟复杂情况的光刻。
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