公开(公告)号：CN106449128A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610860377.3

申请日：2016-09-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 谢一兵 ,  路露

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/32 ,  H01G11/48 ,  H01G11/86

CPC classification number: Y02E60/13 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/32 ,  H01G11/48 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种一体化杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料及其制备方法和应用，所述材料包括碳基底(1)、氮化钛纳米线阵列(2)和杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3)；所述的氮化钛纳米线阵列(2)直接生长在碳基底(1)上，并且均匀垂直排列在碳基底表面；所述的杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3)完整包裹在氮化钛纳米线阵列(2)表面；杂多酸修饰聚苯胺复合膜杂多酸修饰聚苯胺复合膜本发明还提供了杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料的详细制备方法及其在电化学储能领域的应用。相对于现有技术，本发明所述材料利用聚苯胺固载杂多酸，有效的解决了杂多酸易溶于水溶液难以应用于电极材料的缺陷，同时提升了聚苯胺的容量性质。

公开(公告)号：CN106449128B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201610860377.3

申请日：2016-09-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 谢一兵 ,  路露

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/32 ,  H01G11/48 ,  H01G11/86

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明公开了一种一体化杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料及其制备方法和应用，所述材料包括碳基底(1)、氮化钛纳米线阵列(2)和杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3)；所述的氮化钛纳米线阵列(2)直接生长在碳基底(1)上，并且均匀垂直排列在碳基底表面；所述的杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3)完整包裹在氮化钛纳米线阵列(2)表面；杂多酸修饰聚苯胺复合膜杂多酸修饰聚苯胺复合膜本发明还提供了杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料的详细制备方法及其在电化学储能领域的应用。相对于现有技术，本发明所述材料利用聚苯胺固载杂多酸，有效的解决了杂多酸易溶于水溶液难以应用于电极材料的缺陷，同时提升了聚苯胺的容量性质。