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公开(公告)号：CN114758939B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210378551.6
申请日：2022-04-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种用于透射电镜表征的热、电场耦合型密封腔芯片及其制作方法，包含基板芯片与顶板芯片，基板芯片包括第一硅衬底、在第一硅衬底上表面和下表面的介质层、沉积在上表面介质层上的接触电极、加热电极、电场电极以及隔离层；制作基板芯片上的第一观察窗口；顶板芯片包括第二硅衬底，第二硅衬底上表面和下表面的介质层，制作顶板芯片上的第二观察窗口。将样品置于基板芯片的观察窗口区，基板芯片与顶板芯片粘合，放入匹配的透射电镜样品杆中即可使用。本发明不仅能够实现在密封腔中对样品进行加热，还能同步在局部施加额外电场，有助于在透射电镜原位表征过程中实时观察材料在电场诱导下的动态生长过程。
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公开(公告)号：CN115557462A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211221695.7
申请日：2022-10-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种具备气压传感功能的原位加热芯片及其制作方法，包含基板芯片与顶板芯片，基板芯片包括：硅衬底，沉积在硅衬底上表面和下表面的介质层，沉积在上表面介质层的接触电极、加热电极、电容极板以及支撑柱，位于加热电极中心的观察窗口，从衬底下方刻蚀的镂空区，镂空区覆盖观察窗口；顶板芯片包括：硅衬底，沉积在硅衬底上表面和下表面的介质层，沉积在上表面介质层的电容极板、接触电极以及支撑柱，从衬底下方刻蚀的镂空区，镂空区覆盖观察窗口。将用于观察的样品根据需求置于基板芯片的观察窗口区。将顶板和基板按照支撑柱图案对准接触并进行粘合封装，放入匹配的透射电镜样品杆中，能测量不同加热条件下气体在密封腔中压强的变化规律。
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公开(公告)号：CN110729162B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN201910874864.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于透射电镜表征的高目数微栅载网及其制备方法，该微栅载网基于纳米碳管构成，其制备方法如下：1)将纳米线分散均匀到溶液中得到纳米线溶液；2)将纳米线溶液滴到商业化透射电镜载网骨架上，晾干后得悬挂负载有纳米线的透射电镜载网骨架；3)将悬挂负载有纳米线的透射电镜载网骨架置于配有高能电子枪的真空腔装置中，通入含碳元素的有机气体后对悬挂负载有纳米线的透射电镜载网骨架进行电子束辐照，在纳米线表面沉积形成碳层；4)电子束辐照完成后取出透射电镜载网骨架，并放入真空腔中加热处理，除去纳米线形成纳米碳管，即得。该基于纳米碳管构成的高目数微栅载网的目数可调，纳米碳管的直径、管壁厚度、数密度均可调。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111272781A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010092287.0
申请日：2020-02-14
Applicant: 东南大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20008
Abstract: 本发明公开一种用于透射电镜原位表征的CVD芯片，该CVD芯片包含底板芯片与盖板芯片。底板芯片包含硅片基底，沉积在硅片基底上的绝缘层薄膜，沉积在绝缘层薄膜上的低温区电极与高温区电极，沉积在电极表面的隔离层薄膜，刻蚀在低温区和高温区的两个观察窗口，刻蚀在硅片基底中的镂空区；盖板芯片包括硅片基底，沉积在硅片基底上的支撑薄膜，刻蚀在支撑薄膜中的观察区，刻蚀在硅片基底中的镂空区，镂空区覆盖观察区。把用于CVD生长的源材料置于高温区，把催化剂材料置于低温区，然后在隔离层薄膜外周区域粘上金属粘合剂，令支撑薄膜面向金属粘合剂，使盖板芯片和底板芯片对粘密封形成CVD芯片，装入匹配的透射电镜样品杆中观测使用。
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公开(公告)号：CN114758939A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210378551.6
申请日：2022-04-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种用于透射电镜表征的热、电场耦合型密封腔芯片及其制作方法，包含基板芯片与顶板芯片，基板芯片包括第一硅衬底、在第一硅衬底上表面和下表面的介质层、沉积在上表面介质层上的接触电极、加热电极、电场电极以及隔离层；制作基板芯片上的第一观察窗口；顶板芯片包括第二硅衬底，第二硅衬底上表面和下表面的介质层，制作顶板芯片上的第二观察窗口。将样品置于基板芯片的观察窗口区，基板芯片与顶板芯片粘合，放入匹配的透射电镜样品杆中即可使用。本发明不仅能够实现在密封腔中对样品进行加热，还能同步在局部施加额外电场，有助于在透射电镜原位表征过程中实时观察材料在电场诱导下的动态生长过程。
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公开(公告)号：CN112837984B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110011404.0
申请日：2021-01-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种适用于透射电镜表征的双温区密封腔芯片及其制作方法，包含基板芯片与顶板芯片，基板芯片包括：硅片基底，沉积在基底上下表面的介质层，沉积在上表面介质层上的接触电极、加热电极和隔离层，刻蚀在加热电极间介质层上的观察窗口，基底下表面镂空区覆盖观察窗口；顶板芯片包括：硅片基底，沉积在基底上下表面的介质层，沉积在上表面介质层上方的接触电极、加热电极和隔离层，刻蚀在加热电极间介质层上的观察窗口，基底下表面镂空区覆盖观察窗口。将用于观察的样品根据需求置于顶板芯片的加热电极区和基板的加热电极区。将顶板和基板以隔离层图案对准接触，使用粘合剂粘连合一，装入匹配的透射电镜样品杆中即可使用。
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公开(公告)号：CN112837984A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110011404.0
申请日：2021-01-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种适用于透射电镜表征的双温区密封腔芯片及其制作方法，包含基板芯片与顶板芯片，基板芯片包括：硅片基底，沉积在基底上下表面的介质层，沉积在上表面介质层上的接触电极、加热电极和隔离层，刻蚀在加热电极间介质层上的观察窗口，基底下表面镂空区覆盖观察窗口；顶板芯片包括：硅片基底，沉积在基底上下表面的介质层，沉积在上表面介质层上方的接触电极、加热电极和隔离层，刻蚀在加热电极间介质层上的观察窗口，基底下表面镂空区覆盖观察窗口。将用于观察的样品根据需求置于顶板芯片的加热电极区和基板的加热电极区。将顶板和基板以隔离层图案对准接触，使用粘合剂粘连合一，装入匹配的透射电镜样品杆中即可使用。
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公开(公告)号：CN110729162A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910874864.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于透射电镜表征的高目数微栅载网及其制备方法，该微栅载网基于纳米碳管构成，其制备方法如下：1)将纳米线分散均匀到溶液中得到纳米线溶液；2)将纳米线溶液滴到商业化透射电镜载网骨架上，晾干后得悬挂负载有纳米线的透射电镜载网骨架；3)将悬挂负载有纳米线的透射电镜载网骨架置于配有高能电子枪的真空腔装置中，通入含碳元素的有机气体后对悬挂负载有纳米线的透射电镜载网骨架进行电子束辐照，在纳米线表面沉积形成碳层；4)电子束辐照完成后取出透射电镜载网骨架，并放入真空腔中加热处理，除去纳米线形成纳米碳管，即得。该基于纳米碳管构成的高目数微栅载网的目数可调，纳米碳管的直径、管壁厚度、数密度均可调。
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