公开(公告)号：CN103762947B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201410015029.7

申请日：2014-01-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  薛晨辉 ,  李红 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  徐哲

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种交叉耦合输入的具有噪声抵消性能的低噪声跨导放大器，该放大器包含交叉耦合输入级放大器、片外接受网络以及隔离电路，交叉耦合输入级放大器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第四P型金属氧化物晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容；隔离电路包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容；片外接受网络包括第九电容、第十电容、第五电感、第六电感、模拟天线的信号源和天线内阻；该结构的低噪声跨导放大器具有噪声抵消的功能，同时采用交叉耦合输入，低功耗的性能。

公开(公告)号：CN103346741B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310326221.3

申请日：2013-07-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  杨仲盼 ,  薛晨辉 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  徐哲

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/26

Abstract: 本发明公开了一种双路噪声抵消电流复用低噪声放大器，包括共栅级放大器、带负反馈的共源级放大器、第二级共源级放大器和负载级源跟随器；其中，共栅级放大器包括第二N型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管、第一电感、第二电感、第一电容、第三电容；带负反馈的共源级放大器包括第三N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第三电阻、第四电阻、第四电容、第五电容；第二级共源级放大器包括第一P型金属氧化物晶体管、第二电阻、第六电容；负载级源跟随器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二电容、第一电阻。该结构的低噪声放大器具有双路噪声抵消的功能，具有低噪声系数和低功耗的功能。

公开(公告)号：CN103762947A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410015029.7

申请日：2014-01-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  薛晨辉 ,  李红 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  徐哲

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种交叉耦合输入的具有噪声抵消性能的低噪声跨导放大器，该放大器包含交叉耦合输入级放大器、片外接受网络以及隔离电路，交叉耦合输入级放大器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第四P型金属氧化物晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容；隔离电路包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容；片外接受网络包括第九电容、第十电容、第五电感、第六电感、模拟天线的信号源和天线内阻；该结构的低噪声跨导放大器具有噪声抵消的功能，同时采用交叉耦合输入，低功耗的性能。

公开(公告)号：CN103076836B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201210590969.X

申请日：2012-12-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  陈超 ,  薛晨辉 ,  杨仲盼 ,  刘智林 ,  李红

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种低电源电压CMOS恒定电压源电路，包括第一级启动电路，第一级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路，第二级启动电路，第二级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路以及支路电流相减电路，利用支路电流相减电路的输出电流，通过负载电阻实现低温度系数的输出电压。本发明不含双极型器件，在低电源电压的环境下产生了具有低温度系数的参考电压。

公开(公告)号：CN103346741A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310326221.3

申请日：2013-07-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  杨仲盼 ,  薛晨辉 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  徐哲

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/26

Abstract: 本发明公开了一种双路噪声抵消电流复用低噪声放大器，包括共栅级放大器、带负反馈的共源级放大器、第二级共源级放大器和负载级源跟随器；其中，共栅级放大器包括第二N型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管、第一电感、第二电感、第一电容、第三电容；带负反馈的共源级放大器包括第三N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第三电阻、第四电阻、第四电容、第五电容；第二级共源级放大器包括第一P型金属氧化物晶体管、第二电阻、第六电容；负载级源跟随器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二电容、第一电阻。该结构的低噪声放大器具有双路噪声抵消的功能，具有低噪声系数和低功耗的功能。

公开(公告)号：CN103076836A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210590969.X

申请日：2012-12-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  陈超 ,  薛晨辉 ,  杨仲盼 ,  刘智林 ,  李红

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种低电源电压CMOS恒定电压源电路，包括第一级启动电路，第一级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路，第二级启动电路，第二级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路以及支路电流相减电路，利用支路电流相减电路的输出电流，通过负载电阻实现低温度系数的输出电压。本发明不含双极型器件，在低电源电压的环境下产生了具有低温度系数的参考电压。

公开(公告)号：CN203368405U

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201320460700.X

申请日：2013-07-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  杨仲盼 ,  薛晨辉 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  徐哲

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/26

Abstract: 本实用新型公开了一种双路噪声抵消电流复用低噪声放大器，包括共栅级放大器、带负反馈的共源级放大器、第二级共源级放大器和负载级源跟随器；其中，共栅级放大器包括第二N型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管、第一电感、第二电感、第一电容、第三电容；带负反馈的共源级放大器包括第三N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第三电阻、第四电阻、第四电容、第五电容；第二级共源级放大器包括第一P型金属氧化物晶体管、第二电阻、第六电容；负载级源跟随器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二电容、第一电阻。该结构的低噪声放大器具有双路噪声抵消的功能，具有低噪声系数和低功耗的功能。