双负反馈前馈共栅结构的差分跨阻放大器电路

    公开(公告)号:CN105406823B

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201510964758.1

    申请日:2015-12-21

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 王蓉 范忱 王志功

    Abstract: 本发明公开了一种双负反馈前馈共栅结构的差分跨阻放大器电路,包括一对单元电路,所述一对单元电路的输入信号相反,对称连接设置;所述单元电路包括第一反馈环路、第二反馈环路和前馈环路。本发明采用两个负反馈环路降低等效输入电阻,进而可以减小对于前端光电探测器寄生电容的敏感度,从而提高整个跨阻放大器的工作带宽;且整个电路没有采用任何电感,因此集成度较高,具有成本低,功耗低,带宽高的优势。

    一种ROF激光器的预失真电路及方法

    公开(公告)号:CN106788289B

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201611083940.7

    申请日:2016-11-30

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 范忱 王志功

    Abstract: 本发明公开了一种ROF激光器的预失真电路及方法,通过共栅放大器与增益倍增的结构实现激光器的预失真的功能。共栅放大器由第一NMOS晶体管Q1,第二NMOS晶体管Q2和第三NMOS晶体管Q3三只NMOS晶体管组成,其中第三NMOS晶体管Q3工作在饱和区,而第二NMOS晶体管Q2工作在亚阈值区,用来补偿晶体管第三NMOS晶体管Q3产生的非线性。第二NMOS晶体管Q2和第三NMOS晶体管Q3可以近似看成线性通路。第一MOS晶体管Q1同样工作在亚阈值区,通过推挽放大器的增益来控制第一NMOS晶体管Q1的三阶非线性的大小,第三NMOS晶体管Q3管作为整个预失真的非线性通路。整个预失真电路简单、面积小、功耗低、集成度高。

    一种ROF激光器的预失真电路及方法

    公开(公告)号:CN106788289A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611083940.7

    申请日:2016-11-30

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 范忱 王志功

    CPC classification number: H03F3/1935

    Abstract: 本发明公开了一种ROF激光器的预失真电路及方法,通过共栅放大器与增益倍增的结构实现激光器的预失真的功能。共栅放大器由第一NMOS晶体管Q1,第二NMOS晶体管Q2和第三NMOS晶体管Q3三只NMOS晶体管组成,其中第三NMOS晶体管Q3工作在饱和区,而第二NMOS晶体管Q2工作在亚阈值区,用来补偿晶体管第三NMOS晶体管Q3产生的非线性。第二NMOS晶体管Q2和第三NMOS晶体管Q3可以近似看成线性通路。第一MOS晶体管Q1同样工作在亚阈值区,通过推挽放大器的增益来控制第一NMOS晶体管Q1的三阶非线性的大小,第三NMOS晶体管Q3管作为整个预失真的非线性通路。整个预失真电路简单、面积小、功耗低、集成度高。

    具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路

    公开(公告)号:CN105429599A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510963887.9

    申请日:2015-12-21

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 范忱 王蓉 王志功

    Abstract: 本发明公开了一种具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路,包括前馈共栅跨阻放大器电路和有源电感电路;所述前馈共栅跨阻放大器电路的输出端依次串联上拉电阻R1和有源电感电路后,连接电压电源;所述前馈共栅跨阻放大器电路包括输入电源、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3和NMOS晶体管M4。本发明采用的是有源电感的结构,缓解了跨阻增益与带宽之间的制约关系。在相同工作带宽的同时可以获得更大的跨阻增益。因为采用的是有源电感,并没有增大版图的面积。

    具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路

    公开(公告)号:CN105429599B

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201510963887.9

    申请日:2015-12-21

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 范忱 王蓉 王志功

    Abstract: 本发明公开了一种具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路,包括前馈共栅跨阻放大器电路和有源电感电路;所述前馈共栅跨阻放大器电路的输出端依次串联上拉电阻R1和有源电感电路后,连接电压电源;所述前馈共栅跨阻放大器电路包括输入电源、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3和NMOS晶体管M4。本发明采用的是有源电感的结构,缓解了跨阻增益与带宽之间的制约关系。在相同工作带宽的同时可以获得更大的跨阻增益。因为采用的是有源电感,并没有增大版图的面积。

    双负反馈前馈共栅结构的差分跨阻放大器电路

    公开(公告)号:CN205377794U

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201521077675.2

    申请日:2015-12-21

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 王蓉 范忱 王志功

    Abstract: 本实用新型公开了一种双负反馈前馈共栅结构的差分跨阻放大器电路,包括一对单元电路,所述一对单元电路的输入信号相反,对称连接设置;所述单元电路包括第一反馈环路、第二反馈环路和前馈环路。本实用新型采用两个负反馈环路降低等效输入电阻,进而可以减小对于前端光电探测器寄生电容的敏感度,从而提高整个跨阻放大器的工作带宽;且整个电路没有采用任何电感,因此集成度较高,具有成本低,功耗低,带宽高的优势。

    具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路

    公开(公告)号:CN205265629U

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201521068910.X

    申请日:2015-12-21

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 范忱 王蓉 王志功

    Abstract: 本实用新型公开了一种具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路,包括前馈共栅跨阻放大器电路和有源电感电路;所述前馈共栅跨阻放大器电路的输出端依次串联上拉电阻R1和有源电感电路后,连接电压电源;所述前馈共栅跨阻放大器电路包括输入电源、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3和NMOS晶体管M4。本实用新型采用的是有源电感的结构,缓解了跨阻增益与带宽之间的制约关系,在相同工作带宽的同时可以获得更大的跨阻增益,因为采用的是有源电感,并没有增大版图的面积。

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