公开(公告)号：CN101839949B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201010182263.0

申请日：2010-05-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 褚家美 ,  赵阳 ,  罗永超 ,  颜伟 ,  李世锦

IPC: G01R29/08

Abstract: 本发明公开了一种高频电路辐射电磁干扰的分析方法。两个同型号的近场电场探头或近场磁场探头，分别接数字双踪示波器的两个输入端；将上述两个近场探头置于不同位置对高频电路进行测量；对上述示波器得到的时域信号进行盲信号分析，根据信号分析结果可区分出高频电路中的单个辐射源。分别将近场电场探头和近场磁场探头连接频谱分析仪输入端，测量上述单个辐射源的近场电场和近场磁场大小，比较近场电场和近场磁场的大小可得每个辐射源的电磁干扰是由共模辐射引起，还是由差模辐射引起。该方法省时、简便、实用，同时可以为高频电路辐射EMI抑制提供指导。

公开(公告)号：CN101839949A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010182263.0

申请日：2010-05-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 褚家美 ,  赵阳 ,  罗永超 ,  颜伟 ,  李世锦

IPC: G01R29/08

Abstract: 本发明公开了一种高频电路辐射电磁干扰的分析方法。两个同型号的近场电场探头或近场磁场探头，分别接数字双踪示波器的两个输入端；将上述两个近场探头置于不同位置对高频电路进行测量；对上述示波器得到的时域信号进行盲信号分析，根据信号分析结果可区分出高频电路中的单个辐射源。分别将近场电场探头和近场磁场探头连接频谱分析仪输入端，测量上述单个辐射源的近场电场和近场磁场大小，比较近场电场和近场磁场的大小可得每个辐射源的电磁干扰是由共模辐射引起，还是由差模辐射引起。该方法省时、简便、实用，同时可以为高频电路辐射EMI抑制提供指导。