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公开(公告)号：CN102288832A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110125618.7
申请日：2011-05-16
Applicant: 东南大学
IPC: G01R27/14
Abstract: 本发明公开了基于SOI硅片的双端固支梁压阻系数的测量方法，包括以下几个步骤：通过受力分析得出在静电力均布载荷的作用下，双端固支梁上部位于中间位置受压缩区域的大小是到其中，1为双端固支梁的长度，并在此范围内掺杂；掺杂区域两端小范围内重掺杂；在重掺杂区域、对应的锚区以及重掺杂区域与锚区之间的区域均淀积金属铝；在锚区上连接多根金属线；在两锚区的金属线之间连接一个可测量电阻的半导体参数测试仪；在锚区的金属线与衬底的电极之间加一个可施加静电偏置电压的外部电压源；测量、计算得出双端固支梁的压阻系数。本发明避免了双端固支梁中拉伸区域和压缩区域的抵消效应，且测量结果准确，测量方法简便。
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