公开(公告)号：CN112885928B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202110338703.5

申请日：2021-03-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 张彤 ,  科博 ,  杨毅 ,  苏丹 ,  吴洋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明公开了一种硅晶片上快速形成八边形金字塔结构的方法，先通过对硅晶片进行RCA式清洗，然后将含有以下碱性化合物NaOH、KOH、Na2SiO3、IPA和HF的碱性刻蚀溶液在玻璃烧杯中制备，并浸在油浴中，使刻蚀溶液在81℃间接加热，再将硅晶片放入盛有碱性刻蚀溶液的烧杯中进行蚀刻，最后将完成蚀刻的硅晶片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在100℃的热板上进行干燥，从而在硅片表面形成八边形金字塔结构。这种在硅晶片上快速形成八边形金字塔结构的方法可以降低硅片的前表面反射率，改善其表面形貌，周期性，以及增强刻蚀硅晶片的亲水性。

公开(公告)号：CN112885928A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110338703.5

申请日：2021-03-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 张彤 ,  科博 ,  杨毅 ,  苏丹 ,  吴洋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明公开了一种硅晶片上快速形成八边形金字塔结构的方法，先通过对硅晶片进行RCA式清洗，然后将含有以下碱性化合物NaOH、KOH、Na2SiO3、IPA和HF的碱性刻蚀溶液在玻璃烧杯中制备，并浸在油浴中，使刻蚀溶液在81℃间接加热，再将硅晶片放入盛有碱性刻蚀溶液的烧杯中进行蚀刻，最后将完成蚀刻的硅晶片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在100℃的热板上进行干燥，从而在硅片表面形成八边形金字塔结构。这种在硅晶片上快速形成八边形金字塔结构的方法可以降低硅片的前表面反射率，改善其表面形貌，周期性，以及增强刻蚀硅晶片的亲水性。