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公开(公告)号：CN113193840A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110507593.0
申请日：2021-05-10
Applicant: 东南大学
IPC: H03F1/32
Abstract: 本发明公开了一种应用于无声表面滤波器接收机的高线性度跨阻放大器,该结构由三级跨导放大器、RC并联反馈回路、负载电容构成，跨导放大器采用前馈补偿技术，从而在保证放大器稳定性的基础上实现宽带要求，从而实现在较宽的中频上仍保证跨阻放大器具有低输入阻抗；输入端的输入电容实现在更高频处的低输入阻抗，同时过滤高频的阻塞信号分量。本发明在保证功耗、噪声等性能前提下，一方面通过RC一阶滤波实现对带外干扰信号的抑制作用；另一方面保证跨阻放大器的低输入阻抗从而显著提高带内、尤其是带外输入三阶交调点，提高跨阻放大器的带外线性度，实现该SAW‑less接收机射频前端的抗阻塞性能要求。
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公开(公告)号：CN113193840B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110507593.0
申请日：2021-05-10
Applicant: 东南大学
IPC: H03F1/32
Abstract: 本发明公开了一种应用于无声表面滤波器接收机的高线性度跨阻放大器,该结构由三级跨导放大器、RC并联反馈回路、负载电容构成，跨导放大器采用前馈补偿技术，从而在保证放大器稳定性的基础上实现宽带要求，从而实现在较宽的中频上仍保证跨阻放大器具有低输入阻抗；输入端的输入电容实现在更高频处的低输入阻抗，同时过滤高频的阻塞信号分量。本发明在保证功耗、噪声等性能前提下，一方面通过RC一阶滤波实现对带外干扰信号的抑制作用；另一方面保证跨阻放大器的低输入阻抗从而显著提高带内、尤其是带外输入三阶交调点，提高跨阻放大器的带外线性度，实现该SAW‑less接收机射频前端的抗阻塞性能要求。
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公开(公告)号：CN112803899B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202011578189.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种采用噪声抵消的无片内电感单转双的低噪声放大器，包括输入放大级电路、第一噪声抵消电路和第二噪声抵消电路、第一输出缓冲级电路和第二输出缓冲级电路。输入放大级电路在一对共源晶体管上分别对应连接一个共源共栅晶体管，利用耦合电容将第一共源晶体管的漏端反相信号耦合到第二共源晶体管的栅极，实现将单端输入信号转换成双端输出信号；利用共源共栅晶体管、噪声抵消电路和输出缓冲级电路将共源晶体管放大的电流通过两条不同的支路流进输出缓冲级电路的两个不同晶体管栅极，实现信号差分放大及噪声抵消。本发明一方面对来自衬底和电源线的脉冲干扰和噪声的抗干扰性强，另一方面减少了芯片面积以及噪声，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN112803899A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011578189.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种采用噪声抵消的无片内电感单转双的低噪声放大器，包括输入放大级电路、第一噪声抵消电路和第二噪声抵消电路、第一输出缓冲级电路和第二输出缓冲级电路。输入放大级电路在一对共源晶体管上分别对应连接一个共源共栅晶体管，利用耦合电容将第一共源晶体管的漏端反相信号耦合到第二共源晶体管的栅极，实现将单端输入信号转换成双端输出信号；利用共源共栅晶体管、噪声抵消电路和输出缓冲级电路将共源晶体管放大的电流通过两条不同的支路流进输出缓冲级电路的两个不同晶体管栅极，实现信号差分放大及噪声抵消。本发明一方面对来自衬底和电源线的脉冲干扰和噪声的抗干扰性强，另一方面减少了芯片面积以及噪声，提高了集成度。
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