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发明公开
一种CMOS工艺太赫兹信号发生电路审中-实审

公开(公告)号：CN117060856A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311093083.9

申请日：2023-08-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 杨非 , 马杰 , 王心禹 , 颜立炜 , 殷伟韬

IPC: H03B19/14 , H03B5/36

Abstract: 本发明为一种CMOS工艺太赫兹信号发生电路，包括压控振荡器、功率放大器和四倍频器，压控振荡器采用推推式结构产生120GHz的信号，经由D波段功率放大器进行功率放大，放大后的信号去推动太赫兹四倍频器产生480GHz的射频信号，最后经由片上天线进行发射。压控振荡器采用推推式结构增加输出功率，引入变容管+阵列电容的频率调谐设计方案获得较宽的频率调谐范围；功率放大电路采用功率合成方案获得高输出功率驱动四倍频器；四倍频器基于反对称MOS变容管的非线性实现了四次倍频功能，同时在电路设计中采用平衡式结构进行奇次谐波的抑制。本发明采用CMOS工艺实现，促进太赫兹系统大规模应用。

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