公开(公告)号：CN119008692A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410941235.4

申请日：2024-07-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  王卫东 ,  吴团庄 ,  魏家行 ,  刘斯扬 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种集成型功率半导体器件及制造方法，基于第一导电类型衬底（1）构建各个元胞区、以及终端区，针对各元胞区第二导电类型外延层（2）设置沟槽（19）并向终端区延伸，构建第一源区结构、第二源区结构、栅区结构、漏区结构，并搭载第一源极金属电极（12）、漏极金属电极（13）、两个第二源极金属电极（16）、两个栅极金属电极（15），配合漏区结构横向尺寸大于第一源区结构横向尺寸，提升开态击穿电压，拓宽安全工作区，由于第二导电类型注入层（14）和多晶硅场板（8）的作用，实现阻断态下漂移区的电荷平衡和全耗尽，提高关态击穿电压，并能在不影响关态击穿电压的基础上进一步提升漂移区的掺杂浓度，降低特征导通电阻。