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公开(公告)号：CN116088627A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211614140.9
申请日：2022-12-15
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种面向深亚微米的全CMOS器件、高电源抑制、分辨率可配置的片内温度监测电路，由双NMOS传感单元、电压转电流电路、电流控制振荡器和可配置计数器组成。双NMOS传感单元利用场效应管的亚阈值漏电提供线性的温度转电压表现。后级接到的电压转电流电路采用了跨级的密勒补偿结构，其中的跨导放大器为折叠共源共栅类型，引入了无零点的密勒补偿避免了电源抑制频响的零点，带来高电源抑制特性。所产生电流连接至电流控制振荡器，其具有较高的电流至频率转换效率。所述频率连接至位数可调计数器，最终得到输出分辨率可配置的温度码值。全CMOS设计能够兼容现代处理器的工艺，电压转电流电路的高电源抑制设计。
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