公开(公告)号：CN103529897A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310535118.X

申请日：2013-11-01

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨棒 ,  张允武 ,  祝靖 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种高电源抑制比的纯MOS结构电压基准源，包括启动电路、IPTAT产生电路、VPTAT产生电路、VGS产生电路和PSRR增强反馈电路；启动电路连接至IPTAT产生电路，IPTAT产生电路的输出分别连接VPTAT产生电路和VGS产生电路，VPTAT产生电路的输出与VGS产生电路的输出叠加形成Vref基准电压输出，该输出基准电压通过PSRR增强反馈电路反馈给IPTAT产生电路，形成闭合的反馈环路。

公开(公告)号：CN103529897B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310535118.X

申请日：2013-11-01

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨棒 ,  张允武 ,  祝靖 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种高电源抑制比的纯MOS结构电压基准源，包括启动电路、IPTAT产生电路、VPTAT产生电路、VGS产生电路和PSRR增强反馈电路；启动电路连接至IPTAT产生电路，IPTAT产生电路的输出分别连接VPTAT产生电路和VGS产生电路，VPTAT产生电路的输出与VGS产生电路的输出叠加形成Vref基准电压输出，该输出基准电压通过PSRR增强反馈电路反馈给IPTAT产生电路，形成闭合的反馈环路。