-
公开(公告)号：CN102517638A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110365033.2
申请日：2011-11-17
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料，具有两端通透、整齐有序排列的纳米孔阵列结构。一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料的制备方法，采用恒电压阳极氧化反应方法制备管壁间隔分离的二氧化钛纳米管并作为模板，采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应方法，在管壁间隔分离的二氧化钛有序纳米管外壁面沉积完整的聚吡咯纳米膜，形成聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料，采用化学腐蚀溶解方法，以聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料为前驱体，氢氟酸完全去除模板后得到聚吡咯纳米孔阵列材料。一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。
-
公开(公告)号：CN102505124B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110362797.6
申请日：2011-11-16
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料，所述的聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料包括：聚吡咯基体，在聚吡咯基体上设有呈阵列分布且两端通透的纳米孔，在纳米孔内嵌入聚吡咯纳米柱，聚吡咯纳米柱柱面与纳米孔内壁之间设有间隙。采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应，二氧化钛纳米管、包覆在纳米管外壁面上的聚吡咯纳米膜和嵌入在纳米管管腔内的聚吡咯纳米柱复合而成的同心轴实心结构的聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料，采用化学腐蚀溶解方法，氢氟酸完全去除二氧化钛有序纳米管模板后得到聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料。所述的聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。
-
公开(公告)号：CN102522210B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201110362862.5
申请日：2011-11-16
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料，所述的聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料包括：聚吡咯基体，在聚吡咯基体上设有呈阵列分布且两端通透的纳米孔，在纳米孔内嵌入聚吡咯纳米管，聚吡咯纳米管外壁与纳米孔内壁之间设有间隙。采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应方法，得到由二氧化钛纳米管、包覆在纳米管外壁面上的聚吡咯纳米膜和包覆在纳米管内壁面上的聚吡咯纳米膜复合而成的同心轴中空结构的聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料，采用化学腐蚀溶解方法，氢氟酸完全去除二氧化钛有序纳米管模板后得到聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料。所述的聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。
-
公开(公告)号：CN102517638B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201110365033.2
申请日：2011-11-17
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料，具有两端通透、整齐有序排列的纳米孔阵列结构。一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料的制备方法，采用恒电压阳极氧化反应方法制备管壁间隔分离的二氧化钛纳米管并作为模板，采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应方法，在管壁间隔分离的二氧化钛有序纳米管外壁面沉积完整的聚吡咯纳米膜，形成聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料，采用化学腐蚀溶解方法，以聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料为前驱体，氢氟酸完全去除模板后得到聚吡咯纳米孔阵列材料。一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102522210A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110362862.5
申请日：2011-11-16
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料，所述的聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料包括：聚吡咯基体，在聚吡咯基体上设有呈阵列分布且两端通透的纳米孔，在纳米孔内嵌入聚吡咯纳米管，聚吡咯纳米管外壁与纳米孔内壁之间设有间隙。采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应方法，得到由二氧化钛纳米管、包覆在纳米管外壁面上的聚吡咯纳米膜和包覆在纳米管内壁面上的聚吡咯纳米膜复合而成的同心轴中空结构的聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料，采用化学腐蚀溶解方法，氢氟酸完全去除二氧化钛有序纳米管模板后得到聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料。所述的聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。
-
公开(公告)号：CN102418148A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110364153.0
申请日：2011-11-17
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列，包括管墙独立结构的二氧化钛纳米管阵列和在二氧化钛纳米管内壁面、外壁面上均匀沉积的聚吡咯导电膜。一种二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列的制备方法，以管墙独立结构的二氧化钛纳米管阵列作为电极基体，以吡咯单体和高氯酸锂的乙氰溶液为工作电解质，采用脉冲伏安法进行电聚合反应，在二氧化钛纳米管的外壁面和内壁面上分别形成均匀完整的聚吡咯导电膜，得到由沉积在二氧化钛纳米管内壁面上的聚吡咯导电膜、二氧化钛纳米管及沉积在二氧化钛纳米管外壁面上的聚吡咯导电膜构成的同心轴中空结构的夹套纳米管阵列。一种二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列作为超级电容器电极材料进行电化学储能的应用。
-
公开(公告)号：CN104934232B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510243215.0
申请日：2015-05-13
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明提供了一种二氧化钛或氮化钛支撑的碳量子点修饰聚吡咯纳米阵列材料，包括管壁独立结构的二氧化钛或氮化钛纳米管阵列，以及二氧化钛或氮化钛纳米管内壁面和外壁面上均匀沉积的碳量子点修饰的聚吡咯导电膜；由二氧化钛或氮化钛纳米管内壁面上均匀沉积的碳量子点修饰的聚吡咯导电膜(1)、二氧化钛或氮化钛纳米管阵列(2)以及二氧化钛或氮化钛纳米管外壁面上均匀沉积的碳量子点修饰的聚吡咯导电膜(3)形成同心轴中空结构的纳米管复合材料。本发明还提供了该材料的制备方法及应用。该材料由聚吡咯高分子链中修饰碳量子点提高聚吡咯电导率，同时形成同心轴中空纳米阵列结构，从而大大提高电极材料的电化学电容性能。
-
公开(公告)号：CN104934232A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510243215.0
申请日：2015-05-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种二氧化钛或氮化钛支撑的碳量子点修饰聚吡咯纳米阵列材料，包括管壁独立结构的二氧化钛或氮化钛纳米管阵列，以及二氧化钛或氮化钛纳米管内壁面和外壁面上均匀沉积的碳量子点修饰的聚吡咯导电膜；由二氧化钛或氮化钛纳米管内壁面上均匀沉积的碳量子点修饰的聚吡咯导电膜(1)、二氧化钛或氮化钛纳米管阵列(2)以及二氧化钛或氮化钛纳米管外壁面上均匀沉积的碳量子点修饰的聚吡咯导电膜(3)形成同心轴中空结构的纳米管复合材料。本发明还提供了该材料的制备方法及应用。该材料由聚吡咯高分子链中修饰碳量子点提高聚吡咯电导率，同时形成同心轴中空纳米阵列结构，从而大大提高电极材料的电化学电容性能。
-
公开(公告)号：CN102505124A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110362797.6
申请日：2011-11-16
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料，所述的聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料包括：聚吡咯基体，在聚吡咯基体上设有呈阵列分布且两端通透的纳米孔，在纳米孔内嵌入聚吡咯纳米柱，聚吡咯纳米柱柱面与纳米孔内壁之间设有间隙。采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应，二氧化钛纳米管、包覆在纳米管外壁面上的聚吡咯纳米膜和嵌入在纳米管管腔内的聚吡咯纳米柱复合而成的同心轴实心结构的聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料，采用化学腐蚀溶解方法，氢氟酸完全去除二氧化钛有序纳米管模板后得到聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料。所述的聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.015 seconds)
