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公开(公告)号：CN117711366A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311728108.8
申请日：2023-12-15
Applicant: 东南大学
IPC: G10K11/172 , E04H17/14 , E04B1/70 , E04B1/82
Abstract: 本发明公开了一种双模式宽带通风隔声屏障及其设计方法，该通风隔声屏障由M层通风隔声单层结构堆叠而成，每一层通风隔声单层结构由N个耦合单元构成，每个耦合单元之间存在用于通风的间隔，耦合单元为四个由中间腔体与两侧窄管构成的1/4基本单元旋转并连接一侧窄管而形成。该通风隔声屏障中的耦合单元具有两种共振模式，即四个1/4单元声压同相位的共振模式与输入、输出两个1/4单元声压反相位的共振模式，在这两个模式下及其之间的频率范围，能够实现有效的消声。通过对这个1/4基本单元的窄管与中间腔体的宽度尺寸进行设计，可以实现对工作模式的频率进行调节。通过本发明的设计流程，对耦合单元的尺寸根据噪声需求进行设计，实现对工作频率的调节。
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公开(公告)号：CN116776541A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310515513.5
申请日：2023-05-09
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种金属‑铁电‑半导体外延异质结构可调电容器建模方法，在该建模方法中，基于麦克斯韦(Maxwell)方程与铁电‑半导体层的电位移矢量连续方程得到铁电层电场与半导体表面电荷面密度、铁电体极化强度的函数关系，并通过二阶罗森布罗克(Rosenbrock)公式对铁电体偶极子极化微分方程进行数值求解，采用电压正向扫描与反向扫描仿真薄膜电容器的高频状态下C‑V曲线，该模型可以准确刻画电容器参数对电容可调性的影响。本发明对基于MFS可调电容的声表面波(SAW)滤波器参数优化设计具有重大意义。
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公开(公告)号：CN119864003A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510022730.X
申请日：2025-01-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及声学成像技术领域，涉及一种基于声学超材料的相位全息成像装置，包括声波发生器、LAM超表面和控制单元；声波发生器用于生成平面声波；LAM超表面用于接收声波并进行相位和幅值的调制；控制单元，用于控制LAM超表面内部单元格的结构和几何形状；使得正面声音的照射下，声波在LAM超表面内部结构空间中达到解耦点；实现单元格对表面反射声波的相位和幅值的解耦调制；还包括处理器，处理器用于根据输入的图像计算投影到全息面相位位置处的声压，并通过控制器调整LAM超表面内部单元格的尺寸参数。本发明中入射声波与LAM超表面相互作用后，经历了解调、重新调制，并以与LAM亚表面垂直的角度反射。LAM超表面对入射声波没有施加任何角度约束；反射波的角度始终垂直于LAM表面。满足所需的振幅补偿后相位声全息图的成像质量。
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公开(公告)号：CN115565510A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211181033.1
申请日：2022-09-27
Applicant: 东南大学
IPC: G10K11/16 , G10K11/172
Abstract: 本发明公开了一种通风隔音阵列结构及其设计方法，该通风隔音阵列有M列消声列，每两个消声列之间的较大间隔可以实现高通风率通风，每一列消声列由N个串联的消声单元组成，每一个消声单元包括两个位于两侧的开口，开口通过两个不同宽度的连接喉管，连接到同一个空腔中。通过对N个消声单元中每一个连接喉管的宽度与空腔的宽度进行设计，可以使得每一个消声单元在不同的频率工作，不同的工作频率的N个消声单元共同工作，可以实现宽频带的隔声，同时临近单元的耦合工作时的叠加效果，能够提升结构隔声量。该通风隔音阵列结构能够在800～2000Hz范围内对连续噪声有较好的隔离抑制作用，同时可以通过改变消声单元的宽度尺寸便捷地实现对工作频率的调节。
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公开(公告)号：CN119960280A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510022726.3
申请日：2025-01-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及声学成像技术领域，特别是涉及一种声学相位全息成像方法。其包括以下具体步骤：S1、将待成像的全息图离散为亚波长尺度的图像像素序列；S2、采用时间反转方法计算重建全息图所需的全息平面振幅和相位分布；S3、采用角蜥优化算法求解最优耦合补偿幅值；S4、利用全息平面结构对入射声波进行反射，编码耦合后传输图像的相位和补偿幅值信息，以重建与预设计图像匹配的声全息图。本发明提出了一种声学相位全(Acoustic Phase Hologram，APH)方法，旨在适应复杂环境下的全息成像需求。通过预设计相位图像，并利用时间反转技术，在全息平面上实现幅度相位解耦调控，进而在像平面上得到具有抵抗能量衰减、抗干扰能力的相位图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119811343A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510022728.2
申请日：2025-01-07
Applicant: 东南大学
IPC: G10K11/172 , F24F13/24
Abstract: 本发明涉及噪声控制技术领域，涉及一种基于双模式法诺共振的可定制宽带通风隔声超结构。所述通风隔声超结构由三层结构交替排列组成；第一层和第三层为结构层，由不同截面面积的矩形管道呈“S”型排列组成；中间第二层为空气层，保证空气流通；结构层包含两个中空的腔体，两腔体之间通过喉管连接；在两个腔体的入口侧和出口侧也均设置喉管；声能量沿着结构厚度方向传播，一部分通过结构层到达透射端，一部分通过空气层到达透射端；两部分声能量在两个共振频率点声压相位相反，幅值相近，形成双模式法诺共振。本发明通过调整结构层的结构参数，可以对工作频带和工作带宽进行灵活调整，从而起到可定制宽带隔声的效果。
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公开(公告)号：CN115440181A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210949693.3
申请日：2022-08-09
Applicant: 东南大学
IPC: G10K11/172
Abstract: 本发明涉及一种的声屏障降噪结构及其设计方法，包括：将所测噪声频谱的高频噪声的高频谷值确定为所述谐振单元的高频隔声量的谷值频率，将低频噪声的低频峰值确定为所述复合波导层的低频隔声量的峰值频率，根据低频峰值的个数确定亥姆霍兹腔的数量；根据谷值频率计算获得关于微穿孔板层的厚度、微穿孔板层上小孔的直径、中空腔体层的厚度及其横截面尺寸参数关系式，从而对相关参数进行优化选择；根据每个峰值频率分别计算获得关于相应亥姆霍兹腔的体积、以及其对应喉管的有效面积、横截面长度关系式，从而对有效面积进行优化选择。设计出的结构通过谐振系统控制高频噪声，利用复合波导层的亥姆霍兹腔控制低频噪声，实现大频率范围内的选择性隔声。
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公开(公告)号：CN119945577A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510035032.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的双面多通道非对称加密声全息通讯装置及方法，通过幅值和相位两种信道分别传输的不同的图像信息，在初始声场中通过特定的加密超表面装置进行图像的加密，即在加密超表面的两侧形成加密声场，再在加密声场种放置对应信道的密钥超表面进行全息图像还原解密。本发明的超表面可以解耦调制声波的幅值与相位，根据时间反演对称性和声波的叠加原理，经过超表面调制后的反射声场可以呈现出预先设计的幅相分布。加密超表面通过引入随机矩阵对初始声全息图像进行加密，使得经过加密超表面反射后的声全息图像变为乱码图像。密钥超表面分别为透射/反射加密声场中的幅值与相位信道密钥，它们可以还原对应通道的初始声全息图像。
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公开(公告)号：CN116559544A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310439446.3
申请日：2023-04-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及纳米级薄膜电学性能测试技术领域，特别是涉及一种利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法。包括如下步骤：S1：在待测试薄膜表面制备电极，并与待测试薄膜组成电容器；S2：使用探针台将电极与网络分析仪进行连接，并在连接前对电路进行阻抗匹配；S3：测量待测薄膜在不同频率下的谐振频率及该谐振频率下的S21参数；S4：利用S3测试出的S参数，计算出不同频率下薄膜的电容与Q值；S5：利用S4所得出的电容，计算出不同频率下薄膜的介电常数。本发明具有可以同时测出薄膜Q值的优势；并且可以在GHz频率下测试，具有测试频率高的优势。本发明实现了对纳米级薄膜介质介电常数和Q值的同时测试，具有测试结果准，测试频率高的特点。
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