公开(公告)号：CN118858872A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411020916.3

申请日：2024-07-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  黄磊 ,  曹钧厚 ,  王晨露 ,  吴团庄 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种关于IGBT的全区域退化表征方法，在IGBT集电极和发射极之间施加从0V逐步增大的负压，在每一个Vce下对IGBT的栅极进行电压扫描并且叠加小信号，栅压扫描范围为Vg1～Vg2。在每一个Vce下，测试Vg1～Vg2下的栅电容Cg，绘制Cg‑Vg曲线并分区。以相同的电压施加方式对退化后的器件再次测试Vg1～Vg2的栅电容Cg值，绘制Cg‑Vg曲线并且以同样的方式分区。对比退化前后曲线不同区域的漂移情况，表征IGBT功率器件全区域的退化情况、损伤程度。本方法可以简单快速地提取IGBT功率器件栅氧层和外延层的退化情况，为IGBT功率器件可靠性的分析提供快速的判定依据。

公开(公告)号：CN118884160A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411020914.4

申请日：2024-07-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 魏家行 ,  曹钧厚 ,  吴团庄 ,  黄磊 ,  王晨露 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种关于IGBT外延层的退化表征方法，包括：向器件栅极施加恒定的偏置电压并叠加小信号，对器件的集电极和发射极之间进行电压扫描；检测多个集电极和发射极偏置电压点下，栅极和集电极之间的电容值Cgc；计算出每个Vce值下的衬底电容Csub，并绘制Csub‑Vce曲线及1/C2sub‑Vce曲线，提取结型场效应区表面MOS电容Coj随Vce变化曲线；当器件由于应力发生退化后，计算此时的衬底电容Csub值并且绘制Csub‑Vce曲线及1/C2sub‑Vce曲线；对比器件退化前后曲线的漂移情况，分析计算缺陷电荷种类，位置和密度；本发明方法简便易行，可准确快速地测定器件外延层缺陷电荷。

公开(公告)号：CN117832273A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311748601.6

申请日：2023-12-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  曹钧厚 ,  付浩 ,  魏家行 ,  刘斯扬 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种低隧穿泄漏电流的功率器件及其制造方法。器件包括衬底及其上第一导电类型漂移区；位于漂移区上方的沟槽，漂移区及上方设有沟槽，且沟槽两侧设有异质材料区，异质材料区下方设有第二导电类型耐压区域，耐压区与沟槽间以漂移区隔开，沟槽内设有栅电极，栅电极下方设有对称分布的埋层电极，沟槽、栅电极、埋层电极间分别以介质层隔离，异质材料区上方设有源电极，其与沟槽内栅电极间以介质层隔开；衬底下方设有漏电极。本发明的优势在于，器件通过隧穿原理导通，有效降低导通电阻并避免了由寄生三极管引起的闩锁效应。埋层电极的引入降低了反向阻断时隧穿点电场强度，进而降低反向漏电流。同时对器件开关速度也有提升。