公开(公告)号：CN117155066A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311056649.0

申请日：2023-08-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐建 ,  张帅 ,  方睿 ,  贾岩森 ,  张衡 ,  秦唐臻

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M3/335

Abstract: 本发明公开了一种应用于同步整流驱动芯片的自适应预下拉电路及方法，对同步整流管的栅极电压VG进行采样并降压得到预下拉的比较阈值电压VFB；对同步整流管的漏源电压VD进行采样，并与电压VFB进行比较，如果电压VD小于VFB，则输出控制信号到芯片的VG电压驱动单元，降低电压VG直至当达到关断门限后，将VG拉低至地。因为电压VG已经提前下拉，电压VG降低到较低值已无法将VD拉回，因此可以快速将电压VG下拉到地。本发明通过加入预下拉电路，自适应调节同步整流管的栅极电位，从而延长同步整流管的导通时间，减少体二极管导通时间，提高同步整流的效率。

公开(公告)号：CN118012206A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410109597.7

申请日：2024-01-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 杨晨 ,  徐建 ,  方睿 ,  贾岩森 ,  张衡 ,  秦唐臻

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种全CMOS电压基准电路，将正温度系数电压产生电路和负温度系数电压产生电路紧密结合在一个差分电路中，实现正温度系数和负温度系数电压的结合，并采用电流复用的方式，相比于传统的全CMOS电压基准电路所使用的两种独立电压产生电路组合的方式，有效消除了电流离散性，保证产生CTAT和PTAT的电流的非理想因素一致，有效的解决精度问题，消除电流因为电源、温度、工艺等造成的失配，同时由于复用也减小了额外电路造成的功耗和面积。