公开(公告)号：CN104573173B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201410665717.8

申请日：2014-11-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 黄风义 ,  唐旭升 ,  张有明 ,  彭振宁 ,  张雪刚

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种晶体管小信号等效电路模型，包括各个电极处的电极寄生部分，所述各个电极寄生部分均包括阶梯电感电阻结构；该阶梯电感电阻结构包括相互串联的寄生电感和寄生电阻，高阶寄生电阻和高阶寄生电感相互串联后，再与寄生电阻并联。该模型更好地反映涉及半导体有源器件在高频时的高阶寄生效应，因此，可以更高精度地模拟晶体管的性能，用于电路设计或者指导器件制备及工艺改进。

公开(公告)号：CN104573173A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410665717.8

申请日：2014-11-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 黄风义 ,  唐旭升 ,  张有明 ,  彭振宁 ,  张雪刚

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种晶体管小信号等效电路模型，包括各个电极处的电极寄生部分，所述各个电极寄生部分均包括阶梯电感电阻结构；该阶梯电感电阻结构包括相互串联的寄生电感和寄生电阻，高阶寄生电阻和高阶寄生电感相互串联后，再与寄生电阻并联。该模型更好地反映涉及半导体有源器件在高频时的高阶寄生效应，因此，可以更高精度地模拟晶体管的性能，用于电路设计或者指导器件制备及工艺改进。