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公开(公告)号：CN104183269A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410439221.9
申请日：2014-08-29
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明公开了一种基于反馈环切断的低电压单端读写SRAM存储单元及控制方法，包括SRAM基本存储结构和读写分离式的单端电路结构；所述SRAM基本存储结构由交叉耦合反相器构成；所述读写分离式单端电路结构包括写支路和读支路，写支路上设置有交叉耦合反相器的正反馈环切断开关，且写支路所连接的写字线WWL上设置有写字线电压提升电路；读支路所连接的虚拟地线VGND上设置有虚拟地驱动电路。本发明具有读写操作分离，读写稳定性裕度高，宽电压域工作等优点。
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