公开(公告)号：CN115942780A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211613319.2

申请日：2022-12-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴之海 ,  夏军 ,  张易晨

IPC: H10K50/852 ,  H10K50/115 ,  H10K50/84 ,  H10K50/844 ,  H10K71/00 ,  H10K77/10 ,  H10K71/20 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明提供一种增强纳米晶体发光性能的封装结构及其制备方法，包括由里到外依次设置的发光层，谐振腔和封装层，所述最里层发光层是纳米晶体，中间层谐振腔是由若干个相互独立的金属氧化物空腔构成，最外层封装层是透明高分子聚合物。以纳米球为辅助化学模板加工纳米谐振腔是一种灵活、低成本和大规模的制备方法。特殊的结构和周期模式赋予材料独特的光‑物质相互作用。通过利用谐振腔设计的灵活性来匹配不同波段中纳米晶的发射峰，基于Purcell效应，本征光致发光强度显著增强。高分子聚合物封装也有效地提高了纳米晶的稳定性。

公开(公告)号：CN114874764B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202210519321.7

申请日：2022-05-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴之海 ,  夏军 ,  张易晨

IPC: G02F1/25 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13357 ,  C09K11/66 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明提供一种增强发光性能的钙钛矿薄膜的制备方法，包括纳米球预处理、制备纳米球阵列、基板制备、等离子体刻蚀处理、TiO2溶胶制备、构造核壳结构超表面、钙钛矿前驱液制备和钙钛矿复合薄膜成型等步骤。本发明开发构造核壳结构超表面制备工艺，每个单元以纳米球为核心在基板上，金属氧化物涂层覆盖在每个纳米球的外壳上，通过调整纳米球尺寸、涂层厚度和晶格尺寸，且由于周期性结构和低损耗的协同作用，相邻共振有效地增强了共振峰的幅值，显著提高亮度、纯度和对比度。当共振峰调谐到钙钛矿纳米晶的本征发射峰时，本征光致发光强度达到最大幅度的增加。聚合物封装后的钙钛矿纳米晶的稳定性也显著提高。在高端照明和显示领域展示出巨大潜力。

公开(公告)号：CN114874764A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210519321.7

申请日：2022-05-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴之海 ,  夏军 ,  张易晨

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/66 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13357

Abstract: 本发明提供一种增强发光性能的钙钛矿薄膜的制备方法，包括纳米球预处理、制备纳米球阵列、基板制备、等离子体刻蚀处理、TiO2溶胶制备、构造核壳结构超表面、钙钛矿前驱液制备和钙钛矿复合薄膜成型等步骤。本发明开发构造核壳结构超表面制备工艺，每个单元以纳米球为核心在基板上，金属氧化物涂层覆盖在每个纳米球的外壳上，通过调整纳米球尺寸、涂层厚度和晶格尺寸，且由于周期性结构和低损耗的协同作用，相邻共振有效地增强了共振峰的幅值，显著提高亮度、纯度和对比度。当共振峰调谐到钙钛矿纳米晶的本征发射峰时，本征光致发光强度达到最大幅度的增加。聚合物封装后的钙钛矿纳米晶的稳定性也显著提高。在高端照明和显示领域展示出巨大潜力。

公开(公告)号：CN114791686A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210498168.4

申请日：2022-05-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 张易晨 ,  夏军

IPC: G02F1/139 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1337

Abstract: 本发明公开一种基于超表面结构锚定的纯相位空间光调制器，该空间光调制器的主要结构包括：由上而下依次设置的上基板和下基板，所述上、下基板之间填充有双折射材料，下基板包括具有锚定和像素点电压调制功能的基底，基底朝向上基板的表面分布有纳米砖阵列与覆盖在纳米砖阵列上的一层介质材料，上基板面向双折射材料的表面内具有取向层。本发明采用全介质材料制纳米砖阵列，提高空间光调制器件的集成度与紧凑度，提升对调制信号的响应速度，同时对于双折射材料具有底层取向角和预倾角的锚定功能，有效避免了因传统空间光调制器封装制备工艺固有取向精度的限制和固有工艺误差。

公开(公告)号：CN111929753A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010575408.7

申请日：2020-06-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 张易晨 ,  夏军

IPC: G02B5/00 ,  G02F1/1335 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明涉及一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，所述该超材料吸收器的主要结构包括：所述结构包括依次设置的下基板、绝缘介质。下基板包括具有可见光波段与1550nm光通信波段超吸收功能的MIM结构。本发明可以实现兼容CMOS工艺的宽波段超表面吸收结构，在可见光和光通信波段实现宽范围的高吸收率功能。