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公开(公告)号:CN110457768B
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN201910649143.8
申请日:2019-07-18
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了考虑工艺误差下基于可靠性的MEMS器件参数的配置方法,通过计算机辅助设计的算法优化MEMS器件的参数,属于计算、推算、计数的技术领域。该方法根据随机配点法在不同阶数下所需要消耗的时间以及相应的精度选取合适阶数,根据每阶网格点对应范围长度构建随机生成各阶网格点的多个基函数,以每一个网格点上多目标函数与拟合函数的差值为所有基函数乘积的权重,以多维基函数加权和的增量函数为递推下一阶拟合函数的增量,通过多次递推得到显示表达式形式的器件性能函数,利用NSGA‑II算法确定器件性能函数的最优解,能够快速、高效地得到性能偏移量小、方差小、符合可靠性等条件的一组参数配置。
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公开(公告)号:CN110457768A
公开(公告)日:2019-11-15
申请号:CN201910649143.8
申请日:2019-07-18
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了考虑工艺误差下基于可靠性的MEMS器件参数的配置方法,通过计算机辅助设计的算法优化MEMS器件的参数,属于计算、推算、计数的技术领域。该方法根据随机配点法在不同阶数下所需要消耗的时间以及相应的精度选取合适阶数,根据每阶网格点对应范围长度构建随机生成各阶网格点的多个基函数,以每一个网格点上多目标函数与拟合函数的差值为所有基函数乘积的权重,以多维基函数加权和的增量函数为递推下一阶拟合函数的增量,通过多次递推得到显示表达式形式的器件性能函数,利用NSGA-II算法确定器件性能函数的最优解,能够快速、高效地得到性能偏移量小、方差小、符合可靠性等条件的一组参数配置。
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