公开(公告)号：CN114815502B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202210549058.6

申请日：2022-05-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  宋东东 ,  陈佳熠 ,  陈启超 ,  丁亚梅

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/033

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片制备方法，采用聚二甲基硅氧烷将硒化铋片附着于衬底上，然后将其整体放置于纳米压印机的工作台上，在不高于80℃以及在20～30bar压力下进行压印，得到硒化铋纳米片。本发明通过纳米压印对层间结合力强的硒化铋材料进行剥离制备，采用与硒化铋材料结合力好的衬底，在聚二甲基硅氧烷热释放温度以下以及稳定的压力氛围中，促使硒化铋厚片层与层之间的分离，从而获得厚度为十几纳米的硒化铋片。

公开(公告)号：CN114815502A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210549058.6

申请日：2022-05-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  宋东东 ,  陈佳熠 ,  陈启超 ,  丁亚梅

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/033

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片制备方法，采用聚二甲基硅氧烷将硒化铋片附着于衬底上，然后将其整体放置于纳米压印机的工作台上，在不高于80℃以及在20～30bar压力下进行压印，得到硒化铋纳米片。本发明通过纳米压印对层间结合力强的硒化铋材料进行剥离制备，采用与硒化铋材料结合力好的衬底，在聚二甲基硅氧烷热释放温度以下以及稳定的压力氛围中，促使硒化铋厚片层与层之间的分离，从而获得厚度为十几纳米的硒化铋片。