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公开(公告)号：CN101038953A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710019922.7
申请日：2007-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种改进的有机发光器件结构为层状结构，即在表面设有氧化铟锡－ITO透明导电玻璃基片上面先后设置七层材料，第一层为4，4’，4”－三(N－3－甲基苯基－N－苯基－氨基)三苯胺，第二层为2，9－二甲基－4，7－二苯基－1，110－二氮杂菲，即BCP层，第三层为N，N’－二(萘基－2－基)－N，N’－二苯基－双二氨基联苯，第四层为三－(8－羟基喹啉)铝－Alq3，第五层为2，9－二甲基－4，7－二苯基－1，110－二氮杂菲，即BCP层，第六层为三－(8－羟基喹啉)铝－Alq3，第七层为镁银合金－Mg:Ag。器件中BCP的理想厚度为1nm，对比于不插入BCP层的标准器件来说，电流效率和功率效率分别显著提高了47％和43％。
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公开(公告)号：CN101071721B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710022957.6
申请日：2007-05-25
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01J31/127 , H01J29/04
Abstract: 平面三极场发射显示器件及其制备方法是一种发射性能优良，制备工艺简单和成本低廉的制备的方法，在阴极玻璃基板(1)上设有多条数据电极(2)，在数据电极(2)上设有与之垂直的横条状介质层(3)，该介质层(3)上的与数据电极(2)相交处设有场发射材料层(4)，在场发射材料层(4)上设有辅助发射电极(6)，在介质层(3)上的两端设有金属引出电极(5)并与辅助发射电极(6)相导通，在场发射材料层(4)上还设有与数据电极(2)平行且导通的连接电极(7)；在阴极玻璃基板(1)或介质层(3)上设有支撑体(8)，在支撑体(8)上设有阳极玻璃基板(9)，在阳极玻璃基板(9)的下表面设有阳极电极(10)，在阳极电极(10)的下表面设有荧光粉层(11)。
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公开(公告)号：CN101488431A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910024466.4
申请日：2009-02-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种复合式场致发射阴极结构及其制备方法，其制备的方法为：a)在阴极基板(1)上采用印刷或者镀膜的方法制备阴极电极(2)；b)在阴极电极上(2)上采用丝网印刷的方法制备碳纳米管过渡层(3)，c)自然冷却基板(1)及碳纳米管过渡层(3)，在冷却后的碳纳米管过渡层(3)上丝网印刷氧化锌发射层(4)，d)将阴极基板(1)、阴极电极(2)、碳纳米管过渡层(3)及纳米结构氧化锌发射层(4)组成的场致发射阴极置于烧结炉中烘烤；e)自然冷却基板(1)、阴极电极(2)、碳纳米管过渡层(3)和纳米结构氧化锌场发射层(4)组成的场致发射阴极至室温，形成复合式场致发射阴极结构；f)在阴极基板(1)上制备隔离体(5)，g)在隔离体(5)上设置导电的阳极基板(6)。
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公开(公告)号：CN100487945C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710019922.7
申请日：2007-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种改进的有机发光器件结构为层状结构，即在表面设有氧化铟锡-ITO透明导电玻璃基片上面先后设置七层材料，第一层为4，4’，4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯胺，第二层为2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，110-二氮杂菲，即BCP层，第三层为N，N’-二(萘基-2-基)-N，N’-二苯基-双二氨基联苯，第四层为三-(8-羟基喹啉)铝-Alq3，第五层为2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，110-二氮杂菲，即BCP层，第六层为三-(8-羟基喹啉)铝-Alq3，第七层为镁银合金-Mg:Ag。器件中BCP的理想厚度为1nm，对比于不插入BCP层的标准器件来说，电流效率和功率效率分别显著提高了47%和43%。
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公开(公告)号：CN101071721A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710022957.6
申请日：2007-05-25
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01J31/127 , H01J29/04
Abstract: 平面三极场发射显示器件及其制备方法是一种发射性能优良，制备工艺简单和成本低廉的制备的方法，在阴极玻璃基板(1)上设有多条数据电极(2)，在数据电极(2)上设有与之垂直的横条状介质层(3)，该介质层(3)上的与数据电极(2)相交处设有场发射材料层(4)，在场发射材料层(4)上设有辅助发射电极(6)，在介质层(3)上的两端设有金属引出电极(5)并与辅助发射电极(6)相导通，在场发射材料层(4)上还设有与数据电极(2)平行且导通的连接电极(7)；在阴极玻璃基板(1)或介质层(3)上设有支撑体(8)，在支撑体(8)上设有阳极玻璃基板(9)，在阳极玻璃基板(9)的下表面设有阳极电极(10)，在阳极电极(10)的下表面设有荧光粉层(11)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101499518B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910024454.1
申请日：2009-02-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种有机发光器件及其制备方法涉及有机发光器件的结构设计和制备方法，可以应用于发光显示和平面光源，在基板(1)上设有阳极电极(2)，在阳极电极(2)上设有空穴传输层(3)，该空穴传输层(3)上设有采用顺序蒸发的方法制备的周期性排列的施主层(8)和掺杂层(9)构成的发光层(4)；在发光层上设有空穴阻挡层(5)，空穴阻挡层(5)上设有电子传输层(6)，电子传输层(6)上设有阴极电极(7)。采用顺序掺杂制备高效有机发光器件，施主层厚度、掺杂层厚度和发光层中周期结构的数目都是可以优化的设计参数。因此，采用本发明的结构和制备方法，可以制备效率更高的有机发光器件，应用于全彩色显示、固态光源、LCD背光源和微显示器件。
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公开(公告)号：CN100360420C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200510095169.0
申请日：2005-11-02
Applicant: 东南大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明是一种操作简单、制备条件温和、重复性好、制备出的氧化锌纳米管形貌均匀的水热分解生长纳米管型氧化锌的方法。本发明公开了一种水热分解生长纳米管型氧化锌的方法：第一步：将浓氨水滴加到浓度为0.06～0.15M氯化锌溶液中并充分搅拌，调节溶液的pH至9-11，然后将溶液密闭；第二步：对密闭溶液进行超声处理；第三步：将洗净后的导电性衬底放入上述溶液中并再次密闭溶液，再将该密闭溶液放入80～98℃环境中静置，随后自然冷却至室温并保持数小时，使其老化，再将导电性衬底取出，用去离子水冲洗，自然晾干后即可在导电性衬底的表面上获得纳米管晶体结构的氧化锌；本发明具有成本低、实验操作简单、管状结构的形成时间减小、制备条件温和、重复性好、制备出的氧化锌纳米管形貌均匀等优点。
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公开(公告)号：CN101038954A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710019923.1
申请日：2007-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种性能改进的有机发光器件是关于有机发光二极管(OLEDs)结构的设计和优化，使其获得更高的效率和性能，可以应用在光信息显示和照明领域。该器件的结构为层状结构，即在表面含有氧化铟锡－ITO透明导电玻璃基片上面先后设置五层材料，第一层为4，4’，4”－三(N－3－甲基苯基－N－苯基－氨基)三苯胺，即m－MTDATA，层厚范围为20－100nm，m－MTDATA作为空穴注入/传输层。第二层为2，9－二甲基－4，7－二苯基－1，110－二氮杂菲，即BCP层；层厚范围0.5－20nm。第三层为N，N’－二(萘基－2－基)－N，N’－二苯基－双二氨基联苯，即NPB层，层厚范围为10－100nm。第四层为三－(8－羟基喹啉)铝－Alq3，层厚范围为40－120nm，第五层为镁银合金－Mg:Ag，层厚范围为100－300nm。
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公开(公告)号：CN101030624A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710019921.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 具有混合发光层的有机电致发光器件是关于设计和优化有机发光二极管(OLEDs)结构的，使其获得更高的效率和性能，可以应用在光信息显示和照明领域。在表面含有氧化铟锡－ITO透明导电玻璃基片上面先后设置六层材料，第一层为4，4’，4”－三(N－3－甲基苯基－N－苯基－氨基)三苯胺，即m－MTDATA，层厚范围为10－100nm，第二层为N，N’－二(萘基－2－基)－N，N’－二苯基－双二氨基联苯，即NPB层，层厚范围为20－100nm，第三层为4，4’－二(咔唑－9－基)－联苯和三－(8－羟基喹啉)铝，第四层为2，9－二甲基－4，7－二苯基－1，110－二氮杂菲，第五层为三－(8－羟基喹啉)铝，即Alq3层，第六层为镁银合金－Mg:Ag，其层厚范围为100－300nm。
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公开(公告)号：CN1862649A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610085448.3
申请日：2006-06-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 采用并行像素内存的整帧刷新显示电路及其整帧刷新方法是一种用于逐帧扫描显示的新型缓冲像素驱动电路结构及其整帧刷新方法，该电路的列数据电极(1)分别与第一场效应管(2)、第二场效应管(3)的源极相接，第一场效应管(2)的漏极接第三场效应管(6)的源极，第二场效应管(3)的漏极接第四场效应管(7)的源极，第三场效应管(6)、第四场效应管(7)的漏极分别接像素电极(8)，第一动态存储电容(4)接在第一场效应管(2)的漏极与第三场效应管(6)的源极之间，第二动态存储电容(5)接在第二场效应管(3)的漏极与第四场效应管(7)的源极之间，从而实现图像的整帧显示，提高了图像的显示质量。
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