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公开(公告)号：CN103603040A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310535080.6
申请日：2013-10-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法，在生长液中基底生长面采取向下悬空放置；直接将清洗干净的基底生长面向下悬浮于生长溶液中水浴生长得到ZnO纳米锥阵列；阵列生长溶液为KOH和Zn(NO3)2配制的Zn(OH)42-水溶液。其特点是：无需晶种层，也无需任何外加场、模板和辅助剂；基底不需要含锌。该方法具有设备及工艺简单、操作易、能耗低、环境友好、过程安全、成本低廉、产品性能稳定、与基底结合牢固和适合工业化生产等优点。本发明制备出的ZnO纳米锥阵列，在超疏水表面、探测器、压电变频器、紫外激光和太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。
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公开(公告)号：CN103523818A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310532848.4
申请日：2013-10-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种高度取向的ZnO纳米锥阵列的湿化学生长方法，采用旋涂镀膜法将ZnO溶胶涂敷在基底上，经热处理制备一层均匀的纳米级ZnO晶种层；用KOH和Zn(NO3)2配制ZnO阵列生长液；将基底生长面（即含有晶种层的面）悬空倒扣浸没于上述生长液中，在20～50℃水浴条件下，反应1～12h，在所述的基底上制备ZnO纳米锥阵列。该方法具有设备及工艺简单、易操作、成本低和适合工业化生产等优点。本发明制备出的ZnO纳米锥阵列具有高度致密、粗细均匀、取向性好、平整度高、性能稳定、与基底结合牢固等特点，在超疏水表面、探测器、压电变频器、紫外激光和太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。
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公开(公告)号：CN103603040B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310535080.6
申请日：2013-10-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法，在生长液中基底生长面采取向下悬空放置；直接将清洗干净的基底生长面向下悬浮于生长溶液中水浴生长得到ZnO纳米锥阵列；阵列生长溶液为KOH和Zn(NO3)2配制的Zn(OH)42?水溶液。其特点是：无需晶种层，也无需任何外加场、模板和辅助剂；基底不需要含锌。该方法具有设备及工艺简单、操作易、能耗低、环境友好、过程安全、成本低廉、产品性能稳定、与基底结合牢固和适合工业化生产等优点。本发明制备出的ZnO纳米锥阵列，在超疏水表面、探测器、压电变频器、紫外激光和太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。
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公开(公告)号：CN106191865B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201610692961.2
申请日：2016-08-18
IPC: B05D5/08
Abstract: 本发明公开了一种耐蚀抗雾低黏附铜基超疏水表面的制备方法，该方法是以氨水的水和无水乙醇(体积比1:1)的混合溶剂溶液作为浸泡液，将铜箔先进行预处理，以除去表面粉尘、油污及氧化皮；随后，用浸泡液对预处理后的铜箔进行浸泡处理，在铜箔表面构建特殊粗糙结构；最后将具有粗糙结构的铜箔基底置于底部事先滴有氟硅烷的塑料真空干燥器中，常温条件下进行真空氟化，即制得所述的耐蚀抗雾低黏附铜基超疏水表面。该超疏水表面具有优异的(在模拟海水溶液中)耐蚀性能和(在雾化环境中)抗冷凝效果。在铜箔表面构建纳米级粗糙结构工艺简单、条件温和、易操作、成本低和适合工业化生产等。
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公开(公告)号：CN103523818B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310532848.4
申请日：2013-10-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种高度取向的ZnO纳米锥阵列的湿化学生长方法，采用旋涂镀膜法将ZnO溶胶涂敷在基底上，经热处理制备一层均匀的纳米级ZnO晶种层；用KOH和Zn(NO3)2配制ZnO阵列生长液；将基底生长面（即含有晶种层的面）悬空倒扣浸没于上述生长液中，在20～50℃水浴条件下，反应1～12h，在所述的基底上制备ZnO纳米锥阵列。该方法具有设备及工艺简单、易操作、成本低和适合工业化生产等优点。本发明制备出的ZnO纳米锥阵列具有高度致密、粗细均匀、取向性好、平整度高、性能稳定、与基底结合牢固等特点，在超疏水表面、探测器、压电变频器、紫外激光和太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。
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