公开(公告)号：CN117451633A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311306336.6

申请日：2023-10-10

Applicant: 东南大学

Inventor： 崔乾楠 ,  夏传晟 ,  徐春祥

IPC: G01N21/21 ,  G01N21/01 ,  G01N21/39 ,  B01L3/00

Abstract: 本发明涉及界面光谱学技术领域，公开了一种实时监测界面分子吸附过程的非线性光谱装置，飞秒激光器输出的基频光经过二向色镜进入激发光路；基频光经过显微物镜聚焦后进入微流控模块；生物分子溶液经过微流体泵注入微流控芯片，并与微流控芯片内的二次谐波信号探针产生吸附等表界面相互作用；信号探测模块，实时记录生物分子与二次谐波信号探针形成复合界面的光学二次谐波信号强度变化。本发明的有益效果为：本发明利用光学二次谐波测量生物界面分子结构的变化，实现吸附与解吸附等分子动力学过程的实时非线性光谱监测。

公开(公告)号：CN118112000A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410218317.6

申请日：2024-02-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 崔乾楠 ,  夏传晟 ,  徐春祥

IPC: G01N21/88 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明公开了一种面向半导体器件隐藏界面结构缺陷的显微光谱成像系统及成像方法，系统包括：飞秒激光器、功率调节镜片组合、二向色镜、显微物镜、二维位移平台、滤光片、透镜、分光片、探测针孔、光谱仪、CMOS相机和计算机；方法包括如下步骤：步骤1、搭建整套光谱成像系统；步骤2、利用步骤1搭建的整套光谱成像系统完成一次完整的光学二次谐波光谱成像；步骤3、根据步骤2获得的待测区域的光学二次谐波光谱图像，直接观测湿法刻蚀等微加工过程导致的半导体器件隐藏界面结构缺陷，分析其对于器件结构和光电性能的影响。本发明利用光学二次谐波光谱强度的分布显微图像，实现了隐藏界面结构缺陷的直接、高衬比度可视化。