公开(公告)号：CN112686273B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202011588721.0

申请日：2020-12-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 张彤 ,  周佩 ,  吕磊 ,  苏丹

IPC: G06V10/40 ,  G06V10/26 ,  G06T7/194 ,  G06T7/62

Abstract: 本发明公开了一种光电器件微区光电流/反射图像特征提取及分析方法，具体包括：分别提取光电器件表面平面电池区域无微纳结构和有微纳结构区域的光电流图像和反射图像；对所述光电流图像和反射图像进行去背景变换，得到变换后的光电流图像和反射图像；分别对所述变换后的光电流图像和反射图像进行特征提取，建立二者特征的联系；根据所述图像特征提取电学影响因子来定量计算微纳结构的引入对于器件电学性能的影响。本发明的方法能够衡量微纳结构对于器件光学、电学方面的贡献，对于光电器件研发及优化具有重要意义。

公开(公告)号：CN112686273A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011588721.0

申请日：2020-12-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 张彤 ,  周佩 ,  吕磊 ,  苏丹

IPC: G06K9/46 ,  G06K9/34 ,  G06T7/194 ,  G06T7/62

Abstract: 本发明公开了一种光电器件微区光电流/反射图像特征提取及分析方法，具体包括：分别提取光电器件表面平面电池区域无微纳结构和有微纳结构区域的光电流图像和反射图像；对所述光电流图像和反射图像进行去背景变换，得到变换后的光电流图像和反射图像；分别对所述变换后的光电流图像和反射图像进行特征提取，建立二者特征的联系；根据所述图像特征提取电学影响因子来定量计算微纳结构的引入对于器件电学性能的影响。本发明的方法能够衡量微纳结构对于器件光学、电学方面的贡献，对于光电器件研发及优化具有重要意义。