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公开(公告)号：CN119008162A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411283297.7
申请日：2024-09-13
Applicant: 东南大学
IPC: H01F1/153
Abstract: 本发明公开了一种低矫顽力高磁导率的高磁密铁钴基纳米晶软磁合金及其制备方法，本发明通过合理与有效的成分设计使所述纳米晶合金兼具高饱和磁通密度、良好非晶形成能力与工艺性、以及均匀细小纳米晶结构；本发明的纳米晶软磁合金的制备方法，即在晶化热处理过程中结合纵向磁场作用，通过多项热处理参数设计与优化，细化纳米晶结构，并感生均匀磁各向异性，降低磁畴钉扎，实现软磁性能大幅提升。在真空条件下进行纵向磁场晶化热处理，形成平均晶粒尺寸10‑20 nm的纳米晶组织。本发明经过纵向磁场晶化热处理后，合金软磁性能明显改善，合金有效磁导率达31300，矫顽力低至1.1 A/m，损耗为0.05‑0.09 W/kg，饱和磁通密度达1.83 T。
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