一种具有微坑阵列的金属集流体的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114709425A

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202210394660.7

    申请日:2022-04-15

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有微坑阵列的金属集流体的制备方法及应用,该制备方法包括:向集流体表面施加压力形成微坑,多个微坑间隔排列形成微坑阵列,所述微坑之间的间距为0.3~1.5mm;所述微坑的深度为10~100μm。本发明构建的微坑阵列具有更高的亲锂性,使得电沉积的锂在坑内优先横向生长;在阵列之间的坑外表面引入残余应力,诱导锂金属均匀致密地沉积,降低了电池内短路的风险,有效提升了电池的循环性能。本发明为金属集流体提供了新的表面改性手段,在锂金属电池领域具有广泛的应用前景。

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