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公开(公告)号：CN108051889B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201711349753.3
申请日：2017-12-15
Applicant: 东南大学
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明公开了一种混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，该检偏器由下至上依次为硅基衬底、掩埋氧化层、检偏部件和上包层，其中掩埋氧化层生长于硅基衬底的上表面，上包层覆盖掩埋氧化层的上表面，检偏部件水平生长于掩埋氧化层的上表面，并被上包层覆盖；所述检偏部件包括输入波导、过渡波导A、直通波导、过渡波导B，输出波导和右路直通波导。本发明提供的槽式波导TE模检偏器具有低插入损耗、高消光比、大制造容差以及大工作带宽的优点。
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公开(公告)号：CN106873077B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710159616.7
申请日：2017-03-17
Applicant: 东南大学
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称定向耦合器的硅基TE模检偏器，该检偏器由下至上依次为硅基衬底(8)、掩埋氧化层(9)、检偏部件(14)和上包层(10)，其中掩埋氧化层(9)生长于硅基衬底(8)的上表面，上包层(10)覆盖掩埋氧化层(9)的上表面，检偏部件(14)水平生长于掩埋氧化层(9)的上表面，并被上包层(10)覆盖；所述检偏部件(14)包括输入通道(1)、右路直通通道(2)、输出通道(3)、左路直通通道(5)、左路弯曲通道(6)和左路水平通道(7)。该检偏器有效降低了检偏器的插入损耗，提高了器件消光比，缩短了器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN108051889A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711349753.3
申请日：2017-12-15
Applicant: 东南大学
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明公开了一种混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，该检偏器由下至上依次为硅基衬底、掩埋氧化层、检偏部件和上包层，其中掩埋氧化层生长于硅基衬底的上表面，上包层覆盖掩埋氧化层的上表面，检偏部件水平生长于掩埋氧化层的上表面，并被上包层覆盖；所述检偏部件包括输入波导、过渡波导A、直通波导、过渡波导B，输出波导和右路直通波导。本发明提供的槽式波导TE模检偏器具有低插入损耗、高消光比、大制造容差以及大工作带宽的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106873077A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710159616.7
申请日：2017-03-17
Applicant: 东南大学
IPC: G02B6/126
CPC classification number: G02B6/126
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称定向耦合器的硅基TE模检偏器，该检偏器由下至上依次为硅基衬底(8)、掩埋氧化层(9)、检偏部件(14)和上包层(10)，其中掩埋氧化层(9)生长于硅基衬底(8)的上表面，上包层(10)覆盖掩埋氧化层(9)的上表面，检偏部件(14)水平生长于掩埋氧化层(9)的上表面，并被上包层(10)覆盖；所述检偏部件(14)包括输入通道(1)、右路直通通道(2)、输出通道(3)、左路直通通道(5)、左路弯曲通道(6)和左路水平通道(7)。该检偏器有效降低了检偏器的插入损耗，提高了器件消光比，缩短了器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN106959163A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710159573.2
申请日：2017-03-17
Applicant: 东南大学
IPC: G01J4/00
CPC classification number: G01J4/00
Abstract: 本发明公开了一种基于对称三波导定向耦合器结构的TE模检偏器，该检偏器由下至上依次为硅基衬底(9)、掩埋氧化层(10)、检偏部件(15)和上包层(11)，其中掩埋氧化层(10)生长于硅基衬底(9)的上表面，上包层(11)覆盖掩埋氧化层(10)的上表面，检偏部件(15)水平生长于掩埋氧化层(10)的上表面，并被上包层(11)覆盖；所述检偏部件(15)包括输入通道(1)、中路直通通道(2)、左路直通通道(4)、左路C型弯曲通道(5)、右路直通通道(6)、右路C型弯曲通道(7)、输出通道(3)；该TE模检偏器具有低插入损耗、高消光比、大工作带宽且结构紧凑的优点。
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公开(公告)号：CN105572800A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610053548.1
申请日：2016-01-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基槽式波导耦合的偏振旋转器，包括用于输入光信号的输入波导、直通波导和耦合波导，输入波导与直通波导的输入端相连，直通波导和耦合波导平行放置，耦合波导的输出端连接有输出波导；所有波导均为硅基槽式波导，直通波导和耦合波导的槽和包层均覆盖有各向异性材料。当TE/TM偏振态的光信号从输入波导进入直通波导后，由于各向异性材料的存在，光信号的偏振状态发生旋转；同时，光信号向耦合波导中耦合，信号当偏转至TM/TE模式并全部耦合到耦合波导中时，从输出波导中输出TM/TE偏振态的信号，实现偏振旋转效果。该偏振旋转器具有结构紧凑、工作带宽大、制造工艺简单、制造容差性好等优点。
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公开(公告)号：CN105572800B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610053548.1
申请日：2016-01-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基槽式波导耦合的偏振旋转器，包括用于输入光信号的输入波导、直通波导和耦合波导，输入波导与直通波导的输入端相连，直通波导和耦合波导平行放置，耦合波导的输出端连接有输出波导；所有波导均为硅基槽式波导，直通波导和耦合波导的槽和包层均覆盖有各向异性材料。当TE/TM偏振态的光信号从输入波导进入直通波导后，由于各向异性材料的存在，光信号的偏振状态发生旋转；同时，光信号向耦合波导中耦合，信号当偏转至TM/TE模式并全部耦合到耦合波导中时，从输出波导中输出TM/TE偏振态的信号，实现偏振旋转效果。该偏振旋转器具有结构紧凑、工作带宽大、制造工艺简单、制造容差性好等优点。
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公开(公告)号：CN106959163B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201710159573.2
申请日：2017-03-17
Applicant: 东南大学
IPC: G01J4/00
Abstract: 本发明公开了一种基于对称三波导定向耦合器结构的TE模检偏器，该检偏器由下至上依次为硅基衬底(9)、掩埋氧化层(10)、检偏部件(15)和上包层(11)，其中掩埋氧化层(10)生长于硅基衬底(9)的上表面，上包层(11)覆盖掩埋氧化层(10)的上表面，检偏部件(15)水平生长于掩埋氧化层(10)的上表面，并被上包层(11)覆盖；所述检偏部件(15)包括输入通道(1)、中路直通通道(2)、左路直通通道(4)、左路C型弯曲通道(5)、右路直通通道(6)、右路C型弯曲通道(7)、输出通道(3)；该TE模检偏器具有低插入损耗、高消光比、大工作带宽且结构紧凑的优点。
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