公开(公告)号：CN106653738B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201611255233.1

申请日：2016-12-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 陈继新 ,  周培根 ,  严蘋蘋 ,  侯德斌 ,  洪伟

IPC: H01L23/66 ,  H03B5/12

Abstract: 本发明公开了一种共射结构晶体管的地墙去耦合连接结构，其结构包括位于衬底中的晶体管、地墙去耦合结构、基极和集电极过孔连接阵列。硅基工艺提供靠近衬底的薄金属层和顶层的厚金属层，因此，需要过孔阵列连接顶层金属和位于衬底的晶体管，过孔阵列高度在10μm左右且距离较近，对于频率高于100GHz的毫米波亚毫米波振荡器电路，两排过孔阵列之间的耦合寄生电容达到fF量级，对振荡器性能产生极大的影响。引入发射极地墙去耦合结构，优化地墙结构的长度，可以消除晶体管基极和集电极过孔阵列之间的耦合，从而可以大幅度提升亚毫米波振荡器的输出功率和输出频率。

公开(公告)号：CN106653738A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611255233.1

申请日：2016-12-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 陈继新 ,  周培根 ,  严蘋蘋 ,  侯德斌 ,  洪伟

IPC: H01L23/66 ,  H03B5/12

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L2223/6616 ,  H03B5/1231

Abstract: 本发明公开了一种共射结构晶体管的地墙去耦合连接结构，其结构包括位于衬底中的晶体管、地墙去耦合结构、基极和集电极过孔连接阵列。硅基工艺提供靠近衬底的薄金属层和顶层的厚金属层，因此，需要过孔阵列连接顶层金属和位于衬底的晶体管，过孔阵列高度在10μm左右且距离较近，对于频率高于100GHz的毫米波亚毫米波振荡器电路，两排过孔阵列之间的耦合寄生电容达到fF量级，对振荡器性能产生极大的影响。引入发射极地墙去耦合结构，优化地墙结构的长度，可以消除晶体管基极和集电极过孔阵列之间的耦合，从而可以大幅度提升亚毫米波振荡器的输出功率和输出频率。