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公开(公告)号：CN115852481A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211609352.8
申请日：2022-12-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种生长面积和厚度可控的钙钛矿单晶厚膜的方法，该方法通过激光加热精确控制晶体形核数量为1个，然后采用局部变温加热，促使晶核进一步生长成大面积单晶厚膜。本发明的单晶厚膜生长装置能够持续提供原料，保证了单晶厚膜的持续稳定生长。该方法通过改变两层基板间隔层厚度控制单晶厚膜的厚度，最终获得了大尺寸、高质量且厚度可控的钙钛矿单晶厚膜。此外，该方法和装置还适用于多种钙钛矿材料体系。相较于原始方法，基板无需疏水化处理，降低了形核密度，解决单晶厚膜因供料不足，难以持续稳定生长的难题。该方法和装置可以得到尺寸更大、形状更加规则的钙钛矿单晶厚膜，弥补了现有技术的不足。
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