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公开(公告)号:CN110021481B
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN201910326357.1
申请日:2019-04-23
Applicant: 东华理工大学
IPC: H01F41/32
Abstract: 本发明公开了一种制备人工反铁磁体复合材料的方法,要解决的是现有人工反铁磁复合材料方法的成本昂贵和制备周期长的问题。本发明具体步骤如下:步骤一,将镶嵌靶放入真空溅射室的靶位,将基片固定在真空溅射室的基片台上,向真空溅射室通入工作气体,形成真空度;步骤二,在基片上溅射缓冲层;步骤三,在缓冲层上溅射生长亚铁磁层I,基片自然冷却;步骤四,在亚铁磁层I上继续溅射生长亚铁磁层II,最后在基片上溅射生长保护层,即得到成品。本发明在稀土‑过渡合金薄膜中通过直接制备生长的样品层间界面处的直接交换耦合作用,工艺简单,成本低廉,制备周期短,重复性好,可应用于磁电及磁传感器件和超快高密度存储领域中。
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公开(公告)号:CN110021481A
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201910326357.1
申请日:2019-04-23
Applicant: 东华理工大学
IPC: H01F41/32
Abstract: 本发明公开了一种制备人工反铁磁体复合材料的方法,要解决的是现有人工反铁磁复合材料方法的成本昂贵和制备周期长的问题。本发明具体步骤如下:步骤一,将镶嵌靶放入真空溅射室的靶位,将基片固定在真空溅射室的基片台上,向真空溅射室通入工作气体,形成真空度;步骤二,在基片上溅射缓冲层;步骤三,在缓冲层上溅射生长亚铁磁层I,基片自然冷却;步骤四,在亚铁磁层I上继续溅射生长亚铁磁层II,最后在基片上溅射生长保护层,即得到成品。本发明在稀土-过渡合金薄膜中通过直接制备生长的样品层间界面处的直接交换耦合作用,工艺简单,成本低廉,制备周期短,重复性好,可应用于磁电及磁传感器件和超快高密度存储领域中。
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公开(公告)号:CN110016649A
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201910395958.8
申请日:2019-05-14
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种调节含Gd离子的稀土-过渡合金薄膜矫顽力的方法,要解决的是现有含Gd离子的稀土-过渡合金薄膜的问题。本发明具体步骤如下:步骤一,将Gd贴片与镶嵌靶组成复合靶,再将复合靶放入真空溅射室的靶位,将基片固定在真空溅射室的基片台上,向真空溅射室通入工作气体;步骤二,在基片上溅射缓冲底层;步骤三,在缓冲底层上溅射生长垂直含Gd的稀土-过渡合金薄膜;步骤四,在含Gd的稀土-过渡合金薄膜上溅射保护顶层。本发明制备方法简单,重复性好、成本低廉;本发明在一定厚度范围内可以实现合金薄膜矫顽力高达200%以上的变化,促使合金薄膜磁矩的进动和反转,为实现可靠自旋矩器件提供了简单的结构。
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公开(公告)号:CN209607227U
公开(公告)日:2019-11-08
申请号:CN201822251100.8
申请日:2018-12-29
Applicant: 东华理工大学
Inventor: 马杰
IPC: G09B19/18
Abstract: 本实用新型涉及教具,具体涉及一种财务教学用教具,包括第一箱体,内有横收纳区、纵收纳区及凭据展示板,第一箱体侧面设有螺纹孔;盖体,与第一箱体活动连接,并盖合第一箱体,其表面有金属磁贴;第二箱体,内有第一横杆、第二横杆及两根伸缩杆,所述第一、第二横杆中部设有螺纹孔,所述伸缩杆两端设有外螺纹;固定凸块位于第一箱体两侧,活动扣环位于第二箱体两侧,所述活动扣环与所述固定凸块相扣合。集黑板与展示用具于一体,可以实现教学用具的随走随用。
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公开(公告)号:CN209499111U
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201822243031.6
申请日:2018-12-29
Applicant: 东华理工大学
Inventor: 马杰
IPC: A47B63/00 , A47B88/969 , E06B7/28
Abstract: 本实用新型涉及财务技术领域,特别涉及一种多功能财务柜。包括柜体、把手、万向轮和柜盖,所述把手设置于柜体的一侧,柜盖与柜体的另一侧合页连接,所述万向轮设置在柜体的底部四角位置;所述柜盖上设有多个连接柱,所述连接柱与盛放袋可拆卸连接,所述盛放袋底部设有拖物板,所述拖物板的两端分别连接于柜盖的内壁,所述柜盖的表面设有指纹密码锁和报警器;所述柜体内设有多个小型储物格和大型储物格所述小型储物格和大型储物格的下方设有密码柜,所述密码柜上设有密码锁,所述密码柜的下方设有抽屉;本实用新型的财务柜安全性高,同时方便移动,使用方便。
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