公开(公告)号：CN117397002A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280032253.X

申请日：2022-11-02

Applicant: 东华大学 ,  洪启集成电路(珠海)有限公司

Inventor： 张洁 ,  张启华 ,  简维廷 ,  请求不公布姓名 ,  袁元 ,  张勇为 ,  蒋军浩 ,  汪俊亮

IPC: H01L21/033

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的质量改善方法、装置及高能粒子束光刻设备，该方法通过获取灰度图片中目标像素点组成的连通区域以及各个连通区域的宽度，根据各个连通区域的宽度所在的宽度区间以及宽度区间与高能粒子束束斑大小的对应关系，获取高能粒子束光刻设备雕刻各个连通区域对应的图案时的目标高能粒子束束斑值；根据与目标高能粒子束束斑值对应的预设的高能粒子束加工参数与灰度值之间的对应关系，获取各个连通区域内像素点对应的高能粒子束加工参数，从而使得高能粒子束光刻设备在雕刻宽度较大的连通区域时，采用更大的高能粒子束束斑，在雕刻宽度较小的连通区域时，采用更小的高能粒子束束斑。相对于现有技术，该方法在提高半导体器件加工精度的同时，保证了加工效率。

公开(公告)号：CN119861536A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510083409.2

申请日：2025-01-20

Applicant: 东华大学

Inventor： 张洁 ,  张启华 ,  简维廷 ,  汪俊亮 ,  张勇为 ,  蒋军浩 ,  吕佑龙

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种应用于FIB光刻技术中的实时检测设备，包括用于离子束光刻的N把离子枪和用于离子束光刻之后的检测以保证光刻质量的N把电子枪一，N≥1，其特征在于，离子枪与电子枪一分别控制，同步工作。本发明具有如下有益效果：电子与离子枪相隔一定距离，能够实现同步工作的同时，确保互不干扰(尤其是电子枪不会干扰离子枪的工作)，实现实时检测的同时，大幅提高离子束光刻以及检测的效率；电子枪和离子枪分别单独控制，可以实现更好的“实时监控”；电子枪单独控制与工作，可以获得更好的监测效果。

公开(公告)号：CN117157731B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202280017326.8

申请日：2022-10-11

Applicant: 东华大学 ,  洪启集成电路(珠海)有限公司

Inventor： 张洁 ,  张启华 ,  简维廷 ,  蒋军浩 ,  请求不公布姓名 ,  袁元 ,  张勇为

IPC: H01L21/033 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的加工控制方法及高能粒子束光刻设备，所述半导体器件的加工控制方法包括：获取目标半导体器件对应的集成电路版图；将若干层集成电路子版图分别转化为预设格式的灰度图片；对灰度图片进行色相反转，获取灰度图片对应的灰度负片；根据预设的高能粒子束加工参数与灰度值之间的对应关系，获取灰度负片中各像素点对应的高能粒子束加工参数；在目标基材上依次制作相应的每一层所述材料层，并分别根据灰度负片中各像素点对应的高能粒子束加工参数，控制高能粒子束光刻设备发射高能粒子束并作用于目标基材上相应的材料层，得到目标半导体器件。相对于现有技术，本申请提升了雕刻效果和加工效率，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN117157731A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280017326.8

申请日：2022-10-11

Applicant: 东华大学 ,  洪启集成电路(珠海)有限公司

Inventor： 张洁 ,  张启华 ,  简维廷 ,  蒋军浩 ,  请求不公布姓名 ,  袁元 ,  张勇为

IPC: H01L21/033

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的加工控制方法及高能粒子束光刻设备，所述半导体器件的加工控制方法包括：获取目标半导体器件对应的集成电路版图；将若干层集成电路子版图分别转化为预设格式的灰度图片；对灰度图片进行色相反转，获取灰度图片对应的灰度负片；根据预设的高能粒子束加工参数与灰度值之间的对应关系，获取灰度负片中各像素点对应的高能粒子束加工参数；在目标基材上依次制作相应的每一层所述材料层，并分别根据灰度负片中各像素点对应的高能粒子束加工参数，控制高能粒子束光刻设备发射高能粒子束并作用于目标基材上相应的材料层，得到目标半导体器件。相对于现有技术，本申请无需用到集成电路掩膜版，提升了雕刻效果和加工效率，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN117397002B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202280032253.X

申请日：2022-11-02

Applicant: 东华大学 ,  洪启集成电路(珠海)有限公司

Inventor： 张洁 ,  张启华 ,  简维廷 ,  请求不公布姓名 ,  袁元 ,  张勇为 ,  蒋军浩 ,  汪俊亮

IPC: H01L21/033 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的质量改善方法、装置及高能粒子束光刻设备，该方法通过获取灰度图片中目标像素点组成的连通区域以及各个连通区域的宽度，根据各个连通区域的宽度所在的宽度区间以及宽度区间与高能粒子束束斑大小的对应关系，获取高能粒子束光刻设备雕刻各个连通区域对应的图案时的目标高能粒子束束斑值；根据与目标高能粒子束束斑值对应的预设的高能粒子束加工参数与灰度值之间的对应关系，获取各个连通区域内像素点对应的高能粒子束加工参数，使得高能粒子束光刻设备在雕刻宽度较大的连通区域时，采用更大的高能粒子束束斑，在雕刻宽度较小的连通区域时，采用更小的高能粒子束束斑，提高了半导体器件加工精度，保证了加工效率。