公开(公告)号：CN111501060B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202010305599.5

申请日：2020-04-17

Applicant: 东华大学

Inventor： 乔锦丽 ,  彭芦苇 ,  王永霞 ,  刘佩璇 ,  王耀峰 ,  周博

IPC: C25B11/031 ,  C25B11/054 ,  C25B11/061 ,  C25B11/091 ,  C25D3/56 ,  C25B3/07 ,  C25B3/26

Abstract: 本发明涉及一种铜掺杂铋双金属材料及其制备和应用，所述电极以泡沫铜作为支撑体，支撑体表面负载铜掺杂铋金属。制备包括：预处理泡沫铜、CuBi电镀液的配制以及恒电流密度下电沉积即得。本发明制备方法简单，容易操作、成本低，对环境友好，且Cu‑doped‑Bi具有较大的比表面积，存在大量的还原CO2的活性位点。故该电极可极大地抑制二氧化碳电化学还原中的竞争析氢反应，电极稳定性较高，电流密度较大，且具有极高的甲酸法拉第效率。

公开(公告)号：CN111501060A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010305599.5

申请日：2020-04-17

Applicant: 东华大学

Inventor： 乔锦丽 ,  彭芦苇 ,  王永霞 ,  刘佩璇 ,  王耀峰 ,  周博

IPC: C25B11/03 ,  C25B11/06 ,  C25D3/56 ,  C25B3/04 ,  B01J23/843 ,  B01J35/00

Abstract: 本发明涉及一种铜掺杂铋双金属材料及其制备和应用，所述电极以泡沫铜作为支撑体，支撑体表面负载铜掺杂铋金属。制备包括：预处理泡沫铜、CuBi电镀液的配制以及恒电流密度下电沉积即得。本发明制备方法简单，容易操作、成本低，对环境友好，且Cu-doped-Bi具有较大的比表面积，存在大量的还原CO2的活性位点。故该电极可极大地抑制二氧化碳电化学还原中的竞争析氢反应，电极稳定性较高，电流密度较大，且具有极高的甲酸法拉第效率。