公开(公告)号：CN101348385B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200810041995.0

申请日：2008-08-22

Applicant: 东华大学

Inventor： 徐洪耀 ,  张超 ,  杨本宏 ,  光善仪

IPC: C04B41/50

Abstract: 本发明涉及一种均匀纳米孔SiO2低介电薄膜的制备方法，该法以均匀有序化学连接的POSS杂化高分子为模板，通过旋涂或喷涂等薄膜制备方法在基底上形成均匀薄膜，采用原位氧化裂解工艺，制备出适合IC制程要求的均匀多孔IC低介电薄膜材料，通过改变网络模板的结构和网络间有机组分的结构控制，实现材料中孔洞大小、均匀性和结构的精确控制。

公开(公告)号：CN101348385A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810041995.0

申请日：2008-08-22

Applicant: 东华大学

Inventor： 徐洪耀 ,  张超 ,  杨本宏 ,  光善仪

IPC: C04B41/50

Abstract: 本发明涉及一种均匀纳米孔SiO2低介电薄膜的制备方法，该法以均匀有序化学连接的POSS杂化高分子为模板，通过旋涂或喷涂等薄膜制备方法在基底上形成均匀薄膜，采用原位氧化裂解工艺，制备出适合IC制程要求的均匀多孔IC低介电薄膜材料，通过改变网络模板的结构和网络间有机组分的结构控制，实现材料中孔洞大小、均匀性和结构的精确控制。