公开(公告)号：CN110947422A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201911248033.7

申请日：2019-12-09

Applicant: 东华大学

Inventor： 徐林 ,  陈正件

IPC: B01J31/06 ,  B01J35/00 ,  B01J35/06 ,  C02F1/70 ,  C07C213/02 ,  C07C215/76 ,  C02F101/38 ,  C02F101/34

Abstract: 本发明涉及一种可重复利用催化性能高分子金纳米粒子复合纤维膜的制法，包括金种子溶液的制备、PVA纳米纤维膜上金种子的吸附和在PVA纳米纤维上原位生长金纳米粒子步骤。本发明的重复利用催化性能高分子金纳米粒子复合纤维膜进行催化硼氢化钠还原4-硝基苯酚反应，每反应一次，PVA负载金纳米粒子的复合纤维膜放入水中48小时后能再次使用。本发明的重复利用催化性能高分子金纳米粒子复合纤维膜的重复利用催化性能在10次后仍效率保持在原有效率90％以上。

公开(公告)号：CN111514931A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010315276.4

申请日：2020-04-21

Applicant: 东华大学

Inventor： 徐林

IPC: B01J31/06 ,  B01J23/52 ,  B01J35/06 ,  C07C5/11 ,  C07C15/073

Abstract: 本发明涉及一种光催化性能高分子与钯金纳米棒纤维膜的制备方法，制备方法为：先在亲水高分子纳米纤维膜上原位生长金纳米立方体，再在金纳米立方体上原位生长钯纳米粒子制得光催化性能高分子与钯金纳米棒纤维膜；在亲水高分子纳米纤维膜上原位生长金纳米立方体的步骤如下：(1)制备金种子溶液；(2)在亲水高分子纳米纤维膜上吸附金种子；(3)控制金种子原位生长为金纳米立方体。本发明的制备方法简单，有效解决了现有技术的钯纳米粒子易于聚集、负载量低、催化性能较低、在常温下反应效率不高、在水性或非水性介质中难以回收和再利用的问题。

公开(公告)号：CN111426676A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010315433.1

申请日：2020-04-21

Applicant: 东华大学

Inventor： 徐林

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明涉及一种基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底及其制备方法，基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底由高分子纳米碗和金属膜组成，金属膜覆盖在高分子纳米碗的内表面和外表面；基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底的增强因子为107～109，增强因子为相同浓度的染料溶液在有增强基底和无增强基底上拉曼信号强度的比值，有增强基底为基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底，无增强基底与有增强基底的区别仅在于其无金属膜；制备方法为：以高分子纳米碗为基底，在其上垂直溅射金属膜制得基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底。本发明的制备方法简单，制得的基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底增强效果显著。

公开(公告)号：CN111426676B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202010315433.1

申请日：2020-04-21

Applicant: 东华大学

Inventor： 徐林

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明涉及一种基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底及其制备方法，基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底由高分子纳米碗和金属膜组成，金属膜覆盖在高分子纳米碗的内表面和外表面；基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底的增强因子为107～109，增强因子为相同浓度的染料溶液在有增强基底和无增强基底上拉曼信号强度的比值，有增强基底为基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底，无增强基底与有增强基底的区别仅在于其无金属膜；制备方法为：以高分子纳米碗为基底，在其上垂直溅射金属膜制得基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底。本发明的制备方法简单，制得的基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底增强效果显著。

公开(公告)号：CN110993791A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911248041.1

申请日：2019-12-09

Applicant: 东华大学

Inventor： 徐林 ,  张欢欢

IPC: H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种调控导电高分子薄膜晶体生长的方法，将聚-3已基噻吩薄膜依次放入不同体积比的混合溶剂中退火，然后迅速除去薄膜中的溶剂；所述混合溶剂为氯仿与正己烷的混合溶剂或氯仿与环己烷的混合溶剂。本发明调控导电高分子薄膜晶体生长的方法，通过改变不良溶剂的极性来调节导电高分子晶体在薄膜中可控生长，从而制备结晶度和晶体尺度大小可控的导电高分子薄膜。本发明利用极性不良溶剂与高分子烷基侧链的排斥性，诱导高分子链堆积更加紧密，促进高分子晶体的增长，从而改善导电高分子薄膜的结晶度。