公开(公告)号：CN120076696A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510159554.4

申请日：2025-02-13

Applicant: 东华大学

Inventor： 江莞 ,  左武升 ,  吴华鑫 ,  张骐昊 ,  顾士甲 ,  孙婷婷 ,  王连军

IPC: H10N10/852 ,  H10N10/01 ,  B22F3/105 ,  B22F3/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/24 ,  B22F7/06 ,  C25D3/12 ,  C25D3/56

Abstract: 本发明涉及一种适用于MgAgSb基热电材料的阻挡层及其制备方法，所述阻挡层包括金属钴或钴基合金中的一种。本发明中金属钴或钴基合金阻挡层有效避免了界面反应和元素扩散，提升了MgAgSb基热电材料器件的热循环稳定性和服役性能。