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公开(公告)号:CN110813361B
公开(公告)日:2021-08-17
申请号:CN201911199550.X
申请日:2019-11-29
Applicant: 东华大学
IPC: B01J27/24 , B01J23/75 , B01J35/06 , C25B1/04 , C25B11/091
Abstract: 本发明公开了一种磷掺杂氧化钴铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料,其特征在于,所述磷掺杂氧化钴铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料以氮掺杂碳纳米纤维为载体,在氮掺杂碳纳米纤维表面原位生长CoFe‑LDH纳米颗粒制备而成。其制备方法包括退火工艺和高温磷掺杂两个过程。本发明制备的磷掺杂氧化钴铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料,具有比表面积大、导电性好、物理化学性质稳定、电化学性能优越等优点。
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公开(公告)号:CN110252369A
公开(公告)日:2019-09-20
申请号:CN201910432063.7
申请日:2019-05-23
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明公开了一种富含硒空位的硒化钴镍氮掺杂碳纳米纤维复合材料及其制备方法与应用,其制备方法包括:将通过静电纺丝得到的聚丙烯腈纳米纤维膜预氧化和高温碳化得到氮掺杂碳纳米纤维材料;此为载体,进行原位生长Ni-Co前驱体纳米线;采用退火工艺得氧化钴镍氮掺杂碳纳米纤维复合材料,通过进一步的硒化和退火处理的得到富含硒空位的硒化钴镍氮掺杂碳纳米纤维复合材料。本发明制备的复合材料具有结构形貌均一的特点,氮掺杂多孔碳材料支撑起该复合材料的纳米结构,硒空位掺杂的硒化钴镍均匀的生长在中空氮掺杂碳纳米纤维材料的外部,避免了硒化钴镍团聚的问题,具有比表面积大、导电性好、物理化学性质稳定、电化学性能优越等优点。
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公开(公告)号:CN110975914B
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN201911199565.6
申请日:2019-11-29
Applicant: 东华大学
IPC: B01J27/24 , B01J35/06 , B01J35/10 , B01J37/10 , C25B1/04 , C25B11/054 , C25B11/067 , C25B11/093
Abstract: 本发明公开了一种磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料,其特征在于,所述磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料以氮掺杂碳纳米纤维为载体,在氮掺杂碳纳米纤维表面原位生长NiFe‑LDH纳米片制备而成。其制备方法包括退火工艺和高温磷掺杂两个过程。本发明制备的磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料,具有比表面积大、导电性好、物理化学性质稳定、电化学性能优越等优点。
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公开(公告)号:CN110975914A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201911199565.6
申请日:2019-11-29
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明公开了一种磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料,其特征在于,所述磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料以氮掺杂碳纳米纤维为载体,在氮掺杂碳纳米纤维表面原位生长NiFe-LDH纳米片制备而成。其制备方法包括退火工艺和高温磷掺杂两个过程。本发明制备的磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料,具有比表面积大、导电性好、物理化学性质稳定、电化学性能优越等优点。
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公开(公告)号:CN110813361A
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201911199550.X
申请日:2019-11-29
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明公开了一种磷掺杂氧化钴铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料,其特征在于,所述磷掺杂氧化钴铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料以氮掺杂碳纳米纤维为载体,在氮掺杂碳纳米纤维表面原位生长CoFe-LDH纳米颗粒制备而成。其制备方法包括退火工艺和高温磷掺杂两个过程。本发明制备的磷掺杂氧化钴铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料,具有比表面积大、导电性好、物理化学性质稳定、电化学性能优越等优点。
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公开(公告)号:CN110201682A
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201910432068.X
申请日:2019-05-23
Applicant: 东华大学
IPC: B01J27/043 , B01J35/10 , C25B11/06 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种富含硫空位的硫化钴镍氮掺杂碳纳米复合材料及其制备方法,其制备方法包括:将通过静电纺丝得到的聚丙烯腈纳米纤维膜预氧化和高温碳化得到氮掺杂碳材料;此为载体,进行原位生长Ni-Co前驱体纳米线;采用退火工艺得氧化钴镍氮掺杂碳纳米纤维复合材料,通过进一步的硫化和退火处理的得到富含硫空位的硫化钴镍氮掺杂碳纳米复合材料。本发明制备的复合材料具有结构形貌均一的特点,高导电性的氮掺杂碳纳米纤维作为基板,硫空位掺杂的硫化钴镍均匀的生长在中空氮掺杂碳材料的外部,避免了硫化钴镍团聚的问题,具有比表面积大、导电性好、物理化学性质稳定、电化学性能优越等优点。
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