公开(公告)号：CN102703873B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210180294.1

申请日：2012-06-02

Applicant: 东华大学

Inventor： 徐晓峰 ,  何鑫峰 ,  汪海旸 ,  陈效双 ,  褚君浩

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供了一种极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法，其特征在于：该方法分为以下2个步骤，步骤1：利用磁控溅射镀膜仪的金属钒靶对Al2O3基片进行直流溅射，制备金属钒薄膜；步骤2：将金属钒薄膜置于快速退火炉内进行氧化处理，再将氧化后的金属钒薄膜取出并置于空气中自然冷却，获得多晶VO2薄膜。本发明提供的极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法简单易行、重复性好，通过扫描电子显微镜和四探针测试仪分析表明，所制备的VO2薄膜具有纳米片状结构，其回滞曲线宽度仅有0.4℃左右，几乎重合，且具有很高的TCR。

公开(公告)号：CN102703873A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210180294.1

申请日：2012-06-02

Applicant: 东华大学

Inventor： 徐晓峰 ,  何鑫峰 ,  汪海旸 ,  陈效双 ,  褚君浩

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供了一种极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法，其特征在于：该方法分为以下2个步骤，步骤1：利用磁控溅射镀膜仪的金属钒靶对Al2O3基片进行直流溅射，制备金属钒薄膜；步骤2：将金属钒薄膜置于快速退火炉内进行氧化处理，再将氧化后的金属钒薄膜取出并置于空气中自然冷却，获得多晶VO2薄膜。本发明提供的极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法简单易行、重复性好，通过扫描电子显微镜和四探针测试仪分析表明，所制备的VO2薄膜具有纳米片状结构，其回滞曲线宽度仅有0.4℃左右，几乎重合，且具有很高的TCR。