金纳米双锥在OLED器件中的应用

    公开(公告)号:CN109545991A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811243760.X

    申请日:2018-10-24

    Abstract: 本发明公开了金纳米双锥在提高OLED器件的发光性能中的应用。本发明还涉及了金纳米双锥杂化的OLED器件以及该器件的制备方法。本方法通过利用金纳米双锥的表面等离激元共振效应,大大加快了电子的受激和辐射跃迁过程,通过调节金纳米双锥的纵横比,使其表面等离激元共振吸收带与发光材料的吸收和发射光谱分别重叠,达到最大程度地增强OLED器件性能的目的,且金纳米双锥尖端能产生更强的电磁场,与原始器件相比,金纳米双锥杂化的器件亮度和流明效率是原始器件亮度和流明效率的2.22倍和1.95倍,有效提高了OLED器件的性能。

    一种氧掺杂介孔石墨相氮化碳的制备方法

    公开(公告)号:CN110665530A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201910982166.0

    申请日:2019-10-16

    Abstract: 本发明的一种氧掺杂介孔石墨相氮化碳的制备方法,涉及光催化剂技术领域,其操作步骤如下:介孔石墨相氮化碳的制备:将发泡剂以8~12℃/min的速率升温、并在550℃下恒温2h,制得介孔石墨相氮化碳;氧掺杂介孔石墨相氮化碳的制备:将a步骤制得的介孔石墨相氮化碳分散于溶剂中,120℃下恒温8h后,取固体用蒸馏水洗涤,然后在60℃下干燥6h,即得目标产物氧掺杂介孔石墨相氮化碳。本发明通过H2O2溶剂热处理尿素热聚合制备的介孔石墨相氮化碳,以尿素作为发泡剂,得到具有高比表面积的氧掺杂介孔石墨相氮化碳,具有极高的应用价值。

    金纳米棒在倒置OLED器件中的应用

    公开(公告)号:CN109560211A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201811241682.X

    申请日:2018-10-24

    Abstract: 本发明公开了金纳米棒在提高倒置OLED器件发光性能中的应用。本发明还公开了金纳米棒杂化的倒置OLED器件以及该器件的制备方法。本方法通过利用金纳米棒的表面等离激元共振效应,大大加快了电子的受激和辐射跃迁过程,通过调节金纳米棒的纵横比,使其表面等离激元共振吸收带与发光材料的吸收和发射光谱分别重叠,达到最大程度地增强OLED器件性能的目的,与原始器件相比,金纳米棒杂化的器件亮度和流明效率是原始器件亮度和流明效率的2.07倍和1.86倍,有效提高了倒置OLED器件的性能。

    金纳米双锥在OLED器件中的应用

    公开(公告)号:CN109545991B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN201811243760.X

    申请日:2018-10-24

    Abstract: 本发明公开了金纳米双锥在提高OLED器件的发光性能中的应用。本发明还涉及了金纳米双锥杂化的OLED器件以及该器件的制备方法。本方法通过利用金纳米双锥的表面等离激元共振效应,大大加快了电子的受激和辐射跃迁过程,通过调节金纳米双锥的纵横比,使其表面等离激元共振吸收带与发光材料的吸收和发射光谱分别重叠,达到最大程度地增强OLED器件性能的目的,且金纳米双锥尖端能产生更强的电磁场,与原始器件相比,金纳米双锥杂化的器件亮度和流明效率是原始器件亮度和流明效率的2.22倍和1.95倍,有效提高了OLED器件的性能。

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