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发明公开
具有可降解磷系阻垢剂的CuS二氧化钛纳米管复合薄膜电极的制备方法无效

公开(公告)号：CN104250828A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410449498.X

申请日：2014-09-04

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 孙墨杰 , 王焕伟

IPC: C25B11/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00

Abstract: 本发明是一种具有可降解磷系阻垢剂的CuS二氧化钛纳米管复合薄膜电极的制备方法，其特点是，包括:钛片的前期处理、二氧化钛纳米管的制备和水热反应等步骤，既充分利用了二氧化钛纳米管的比表面积大，以钛片为基质比较稳定，又利用了CuS光电转换能力较强的特点；制备成本低，过程简单，操作方便；制备的CuS二氧化钛纳米管复合薄膜电极直径约50nm的管状结构，且是在钛箔上直接生长形成纳米管薄膜；以钛箔作为基质，制备的CuS二氧化钛纳米管复合薄膜电极对磷系阻垢剂具有很好的光催化效果；科学合理的利用了光能去催化磷系阻垢剂，无污染，操作简单可行。

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