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公开(公告)号：CN104459359A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410766216.9
申请日：2014-12-14
Applicant: 东北电力大学
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明是一种VDMOS器件低频噪声测量装置，其特点是，包括VDMOS偏置电路、噪声匹配变压器、放大单元、负反馈网络、滤波单元、频谱分析仪依次串联；偏置电路激发待测器件VDMOS产生噪声，偏置电路输出端与变压器相连；噪声匹配变压器与放大单元相连降低放大单元的背景噪声，使其低于待测器件噪声的量级；放大单元外接负反馈网络，用来稳定放大器的放大增益，抑制环内噪声滤波单元与频谱分析仪相连，滤除额外的频率成分，得到待测的低频噪声。对低频噪声信号放大后，几乎不会改变原有的噪声信号固有的频谱带宽，具有结构简单，使用方便，测量准确等优点。
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