公开(公告)号：CN114891258A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210575997.8

申请日：2022-05-24

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 李正 ,  牟航葵 ,  彭逸博 ,  姜虹 ,  张兰河

IPC: C08J7/046 ,  C08J7/12 ,  C08L27/16 ,  C09D179/04

Abstract: 一种表面具有坚固界面交联层的膜的制备方法，它涉及一种超疏水膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有膜蒸馏技术中常规膜超疏水改性后耐污染程度不足和耐用性差的问题。方法：一、膜表面制备聚多巴胺层；二、交联；三、接枝氟硅烷，得到表面具有坚固界面交联层的膜。与单纯使用氟硅烷对膜表面进行改性的方法相比，本发明中所制备的具有坚固界面交联层的膜既具有较高的超疏水性能，又具有强耐污染性能和高耐用性的优点。本发明工艺不复杂，操作过程简单，可获得一种表面具有坚固界面交联层的膜。

公开(公告)号：CN114891258B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202210575997.8

申请日：2022-05-24

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 李正 ,  牟航葵 ,  彭逸博 ,  姜虹 ,  张兰河

IPC: C08J7/046 ,  C08J7/12 ,  C08L27/16 ,  C09D179/04

Abstract: 一种表面具有坚固界面交联层的膜的制备方法，它涉及一种超疏水膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有膜蒸馏技术中常规膜超疏水改性后耐污染程度不足和耐用性差的问题。方法：一、膜表面制备聚多巴胺层；二、交联；三、接枝氟硅烷，得到表面具有坚固界面交联层的膜。与单纯使用氟硅烷对膜表面进行改性的方法相比，本发明中所制备的具有坚固界面交联层的膜既具有较高的超疏水性能，又具有强耐污染性能和高耐用性的优点。本发明工艺不复杂，操作过程简单，可获得一种表面具有坚固界面交联层的膜。

公开(公告)号：CN114984926B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202210508305.8

申请日：2022-05-11

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 李正 ,  毕嘉楠 ,  彭逸博 ,  张兰河 ,  陈子成

IPC: B01J20/26 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30

Abstract: 一种高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物的制备方法，它涉及一种锂离子印迹聚合物的制备方法。本发明的目的是要解决现有回收锂的方法成本高且步骤繁杂和现有磁性离子印迹聚合物制备方法负责和容易团聚，导致对锂吸附容量降低的问题。方法：一、制备Fe3O4/RGO；二、制备Fe3O4@SiO2@IIP/RGO，即为高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物。本发明制得的高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物相较于目前的锂离子印迹材料有明显的抗团聚特性，饱和吸附容量显著提升。本发明制得的高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物对锂离子的吸附率可达99.9％。本发明可获得一种高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物。

公开(公告)号：CN114984926A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210508305.8

申请日：2022-05-11

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 李正 ,  毕嘉楠 ,  彭逸博 ,  张兰河 ,  陈子成

IPC: B01J20/26 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30

Abstract: 一种高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物的制备方法，它涉及一种锂离子印迹聚合物的制备方法。本发明的目的是要解决现有回收锂的方法成本高且步骤繁杂和现有磁性离子印迹聚合物制备方法负责和容易团聚，导致对锂吸附容量降低的问题。方法：一、制备Fe3O4/RGO；二、制备Fe3O4@SiO2@IIP/RGO，即为高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物。本发明制得的高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物相较于目前的锂离子印迹材料有明显的抗团聚特性，饱和吸附容量显著提升。本发明制得的高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物对锂离子的吸附率可达99.9％。本发明可获得一种高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物。