公开(公告)号：CN102576800B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080034679.6

申请日：2010-07-30

Applicant: 东北泰克诺亚奇股份有限公司

Inventor： 本江克次 ,  中岛浩二 ,  石川智仁 ,  杉山雅治 ,  五十岚贵教 ,  脇若弘之 ,  牧野彰宏 ,  井上明久

IPC: H01L41/12 ,  C23C4/06 ,  C23C4/12 ,  G01L1/12 ,  G01L3/10 ,  G01L9/16 ,  H01F10/13 ,  H01L29/84 ,  C22C45/02

CPC classification number: G01L3/102 ,  C22C33/003 ,  C22C45/02 ,  C23C4/06 ,  G01L3/103 ,  G01L3/105 ,  G01R33/18 ,  H01F10/131 ,  H01L41/125 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种可在零磁场附近发挥优异的磁致伸缩特性的磁致伸缩膜、及磁致伸缩膜的制造方法。磁致伸缩膜是由熔射形成在被检体上、且以比玻璃迁移温度低且在居里点温度以上进行热处理为特征的金属玻璃膜所构成，且-15kA/m以上、+15kA/m以下的磁场范围中的至少一部分的范围内，显现磁场与磁致伸缩的直线特性。