公开(公告)号：CN108219785B

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201810326634.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 东北林业大学

Inventor： 王丽丽 ,  张灿富 ,  季亚莉 ,  张慧敏 ,  黄敏 ,  全芷谊

IPC: C09K11/65 ,  G01N21/64 ,  H01L33/50 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于碳纳米技术领域，尤其涉及一种高荧光强度硅掺杂碳量子点及其光化学合成方法与应用。本发明以N‑苯基对苯二胺为碳源，以3‑氨丙基三甲氧基硅烷为硅源，通过简单的光化学合成方法制备了高荧光强度的硅掺杂碳量子点。本发明制备的高荧光强度硅掺杂碳量子点结构规整，形貌呈直径为4.5～8.5nm的球形，表面富含Si原子；具有高结晶度，晶格参数为0.21nm；呈现明亮的蓝绿色荧光。本发明制备的硅掺杂碳量子点因具有光化学合成方法简单、荧光强度高、在长期储存和高功率紫外线照射过程中具有极高的光学稳定性、非毒性或低毒性等优点而在光电器件、荧光传感和细胞生物成像等领域具有巨大应用潜力。

公开(公告)号：CN108219785A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810326634.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 东北林业大学

Inventor： 王丽丽 ,  张灿富 ,  季亚莉 ,  张慧敏 ,  黄敏 ,  全芷谊

IPC: C09K11/65 ,  G01N21/64 ,  H01L33/50 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C09K11/65 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/64 ,  H01L33/504

Abstract: 本发明属于碳纳米技术领域，尤其涉及一种高荧光强度硅掺杂碳量子点及其光化学合成方法与应用。本发明以N‑苯基对苯二胺为碳源，以3‑氨丙基三甲氧基硅烷为硅源，通过简单的光化学合成方法制备了高荧光强度的硅掺杂碳量子点。本发明制备的高荧光强度硅掺杂碳量子点结构规整，形貌呈直径为4.5～8.5nm的球形，表面富含Si原子；具有高结晶度，晶格参数为0.21nm；呈现明亮的蓝绿色荧光。本发明制备的硅掺杂碳量子点因具有光化学合成方法简单、荧光强度高、在长期储存和高功率紫外线照射过程中具有极高的光学稳定性、非毒性或低毒性等优点而在光电器件、荧光传感和细胞生物成像等领域具有巨大应用潜力。