公开(公告)号：CN109285900B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201811292091.5

申请日：2018-10-31

Applicant: 东北林业大学

Inventor： 冯伟 ,  于苗苗 ,  秦芳璐 ,  刘赫

IPC: H01L31/0328 ,  C01B19/00

Abstract: 本发明公开了一种二维Ca1‑xInxSe合金及其制备方法及在制备光电探测中的应用，属于材料制备技术及高性能可见‑近红外光电探测器领域；合金的制备方法为：将硒粉和铟镓共熔合金放入石英舟中，抽真空，升温后保温，降温得块体合金材料；将SiO2/Si基底进行预处理；透明胶带粘贴块体合金材料，然后粘贴在处理后的基底上，浸泡在丙酮中，取出基底即可在其表面获得随机分布的二维Ca1‑xInxSe合金。制备的二维合金用于制备光电探测器，在可见‑近红外光照射下电流显著增加，合金具有很好的光电探测性能，光响应值高达应变系数高达258A/W，是GaSe光响应值的92倍。

公开(公告)号：CN109285900A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811292091.5

申请日：2018-10-31

Applicant: 东北林业大学

Inventor： 冯伟 ,  于苗苗 ,  秦芳璐 ,  刘赫

IPC: H01L31/0328 ,  C01B19/00

Abstract: 本发明公开了一种二维Ca1-xInxSe合金及其制备方法及在制备光电探测中的应用，属于材料制备技术及高性能可见-近红外光电探测器领域；合金的制备方法为：将硒粉和铟镓共熔合金放入石英舟中，抽真空，升温后保温，降温得块体合金材料；将SiO2/Si基底进行预处理；透明胶带粘贴块体合金材料，然后粘贴在处理后的基底上，浸泡在丙酮中，取出基底即可在其表面获得随机分布的二维Ca1-xInxSe合金。制备的二维合金用于制备光电探测器，在可见-近红外光照射下电流显著增加，合金具有很好的光电探测性能，光响应值高达应变系数高达258A/W，是GaSe光响应值的92倍。

公开(公告)号：CN109411331B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201811235022.0

申请日：2018-10-23

Applicant: 东北林业大学

Inventor： 冯伟 ,  刘赫 ,  于苗苗 ,  秦芳璐

IPC: H01L21/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种二维超晶格硒化铟及其制备方法与在制备光电探测器中的应用，属于高性能光电探测器领域；二维超晶格硒化铟的制备方法为：SiO2/Si基底预处理；用透明胶带粘贴InSe材料后转移到SiO2/Si基底上，浸泡丙酮；真空条件下高温处理，即可在SiO2/Si基底表面制得二维超晶格InSe纳米片。本发明方法制备的二维超晶格InSe具有高的电学输运性能、高的光响应、良好的稳定性和快速的光响应速度，在高性能光电探测器领域具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN109411331A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811235022.0

申请日：2018-10-23

Applicant: 东北林业大学

Inventor： 冯伟 ,  刘赫 ,  于苗苗 ,  秦芳璐

IPC: H01L21/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种二维超晶格硒化铟及其制备方法与在制备光电探测器中的应用，属于高性能光电探测器领域；二维超晶格硒化铟的制备方法为：SiO2/Si基底预处理；用透明胶带粘贴InSe材料后转移到SiO2/Si基底上，浸泡丙酮；真空条件下高温处理，即可在SiO2/Si基底表面制得二维超晶格InSe纳米片。本发明方法制备的二维超晶格InSe具有高的电学输运性能、高的光响应、良好的稳定性和快速的光响应速度，在高性能光电探测器领域具有很好的应用前景。